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公开(公告)号：CN1976039A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属－绝缘体－金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026177A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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公开(公告)号：CN101026177B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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公开(公告)号：CN1794092A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510126974.5
申请日：2005-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/067 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J3/22 , H01J37/145 , H01J37/304 , H01J37/3174 , H01J2237/31776 , H01J2237/31777 , H01J2237/31781
Abstract: 本发明提供一种电磁聚焦装置和使用该电磁聚焦装置的电子束光刻系统，其能够通过移动极片的中心部分调节电磁场的均匀性。该电磁聚焦装置控制从电子束光刻系统的电子束发射器产生的电子束的路径。在该电磁聚焦装置中，磁场生成器形成真空室中的磁场，该真空室围绕出晶片安装于其中的空间。上和下极片分别穿透该真空室的顶和底壁，彼此面对地安装，且将形成在磁场生成器处的磁场施加到该真空室中。真空室中磁场的均匀性可以通过该上和下极片相对于该真空室的垂直移动来调节。
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公开(公告)号：CN1976039B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
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公开(公告)号：CN1991940A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610132098.1
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , G02F2001/136254 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供了一种用于检测使用表面电子发射器件阵列的薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管检测系统以及使用其的检测方法。薄膜晶体管阵列包括多条栅极线、多条源极线、多个连接到栅极线和源极线的单元薄膜晶体管和多个电连接到单元薄膜晶体管的像素电极。该薄膜晶体管检测系统包括表面电子发射器件阵列，该表面电子发射器件阵列具有设置为面向在第一方向的薄膜晶体管阵列的第一电极，沿与第一方向相交的第二方向设置在相应于其中形成了第一电极和相应的像素电极的区域的区域中的第二电极，和插入在第一电极和第二电极之间的绝缘层。
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