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公开(公告)号：CN1949391B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610092684.8
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储设备，其具有低漏电流和高可靠性，例如长保持时间和短更新时间。所述装置包括开关装置和电容器。开关装置的源极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的一端，而电容器的一个电极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。这里，所述金属绝缘体转换膜电阻器根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换。
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公开(公告)号：CN101192647A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
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公开(公告)号：CN1949391A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610092684.8
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储设备，其具有低漏电流和高可靠性，例如长保持时间和短更新时间。所述装置包括开关装置和电容器。开关装置的源极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的一端，而电容器的一个电极连接到金属绝缘体转换膜电阻器的另一端。这里，所述金属绝缘体转换膜电阻器根据施加到其两端的电压在绝缘体和导体之间转换。
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公开(公告)号：CN1832198A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610019859.2
申请日：2006-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78681 , H01L49/003
Abstract: 本发明提供了一种使用物理改性层的晶体管，一种操作该晶体管的方法，和一种制造该晶体管的方法。该晶体管包括在衬底上形成的绝缘层、第一和第二导电层图案、物理改性层、高介电层、和栅电极。第一和第二导电层图案在所述绝缘层上彼此分隔开。所述物理改性层形成在第一和第二导电层图案之间的绝缘层部分上。所述高介电层堆叠在物理改性层上，且所述栅电极形成在所述高介电层上。
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公开(公告)号：CN101192647B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1862831B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200610081819.0
申请日：2006-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L49/00
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 提供了一种包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法。所述包括金属绝缘体转换材料的晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上彼此分开形成的源极区和漏极区；分别形成于所述源极区和所述漏极区的表面上的隧穿势垒层；形成于所述隧穿势垒层和所述绝缘层上的金属绝缘体转换材料层；堆叠在所述金属绝缘体转换材料层上的介电层；以及形成于所述介电层上的栅电极层，其中，根据所述源极区和所述漏极区之间的电势差将所述金属绝缘体转换材料层从金属变成绝缘体或者反之。
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公开(公告)号：CN101075629A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610165950.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101075629B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610165950.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101030623B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN101030623A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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