公开(公告)号：CN101097966B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610164051.3

申请日：2006-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 斯蒂法诺维克·詹瑞克 ,  赵重来 ,  李殷洪

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/8086 ,  H01L29/66901

Abstract: 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。

公开(公告)号：CN101097966A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610164051.3

申请日：2006-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 斯蒂法诺维克·詹瑞克 ,  赵重来 ,  李殷洪

IPC: H01L29/808

CPC classification number: H01L29/8086 ,  H01L29/66901

Abstract: 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。