公开(公告)号：CN101257048A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080659.7

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  斯蒂法诺维奇·金里克 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。

公开(公告)号：CN101257048B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810080659.7

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  斯蒂法诺维奇·金里克 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。