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公开(公告)号：CN107086226B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710066413.3
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。
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公开(公告)号：CN109962060A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811316171.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 提供了发光器件封装和显示设备，发光器件封装包括：单元阵列，包括第一、第二和第三发光器件，每个发光器件包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，该单元阵列具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；透光基板，包括分别与第一发光器件和第二发光器件相对应的第一波长转换部分和第二波长转换部分，并且接合到第一表面；共晶接合层，包括分别与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件相对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，并且将透光基板和第一至第三发光器件彼此接合。
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公开(公告)号：CN106653965B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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公开(公告)号：CN106653965A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610881598.9
申请日：2016-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
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公开(公告)号：CN109935666B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201811486617.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一发光部分，其包括第一半导体堆叠件以及布置在第一半导体堆叠件下方和上方的第一下分散式布拉格反射器(DBR)层和第一上分散式布拉格反射器(DBR)层；第二发光部分，其包括第二半导体堆叠件以及布置在第二半导体堆叠件下方和上方的第二下分散式布拉格反射器(DBR)层和第二上分散式布拉格反射器(DBR)层；第三发光部分，其包括第三半导体堆叠件以及布置在第三半导体堆叠件下方和上方的第三下分散式布拉格反射器(DBR)层和第三上分散式布拉格反射器(DBR)层；第一粘合层，其布置在第一发光部分与第二发光部分之间；以及第粘合层，其布置在第二发光部分与第三发光部分之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146325B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910831316.8
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: 提供一种发光器件封装件和使用该发光器件封装件的显示装置，所述发光器件封装件包括：分隔结构，具有第一表面和第二表面；第一发光窗、第二发光窗和第三发光窗，穿透第一表面和第二表面；单元阵列，包括在分隔结构的第一表面上并且与第一发光窗、第二发光窗和第三发光窗叠置的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件；第一波长转换部分和第二波长转换部分，填充第一发光窗和第二发光窗的内部，并且具有弯液形的界面；第一封装部分，包括填充第三发光窗并且覆盖第一波长转换部分和第二波长转换部分的透光有机膜层；第二封装部分，覆盖第一封装部分并且包括透光无机膜层。
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公开(公告)号：CN107134469B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710126385.X
申请日：2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号：CN108206233A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710984983.0
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , F21K9/232 , F21K9/237 , F21K9/275 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L33/52 , H01L33/005
Abstract: 提供了一种发光二极管(LED)封装件和制造LED封装件的方法。LED封装件包括：反射结构，其包括腔体、具有通孔的底部和包围腔体和底部的侧壁部分，侧壁部分具有倾斜的内侧表面；插入通孔中的电极焊盘；腔体中的底部上的LED，所述LED包括电连接至电极焊盘的发光结构和形成在发光结构上的荧光体；以及透镜结构，其填充腔体并且形成在反射结构上。
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公开(公告)号：CN107086226A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710066413.3
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。
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公开(公告)号：CN108206233B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710984983.0
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光二极管(LED)封装件和制造LED封装件的方法。LED封装件包括：反射结构，其包括腔体、具有通孔的底部和包围腔体和底部的侧壁部分，侧壁部分具有倾斜的内侧表面；插入通孔中的电极焊盘；腔体中的底部上的LED，所述LED包括电连接至电极焊盘的发光结构和形成在发光结构上的荧光体；以及透镜结构，其填充腔体并且形成在反射结构上。
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