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公开(公告)号：CN116096097A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211324354.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在单元区域和外围区域上的互连线，互连线在垂直于衬底的顶表面的第一方向上与衬底间隔开；在单元区域和外围区域上的下绝缘层，下绝缘层覆盖互连线，在单元区域上的下绝缘层的顶表面处于比互连线中的最上面的互连线的顶表面低的高度处；以及在单元区域上的下绝缘层上的数据存储图案，数据存储图案彼此水平地间隔开，数据存储图案直接连接到在单元区域上的最上面的互连线的顶表面。
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