公开(公告)号：CN1909194A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105892.7

申请日：2006-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  徐范锡 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。

公开(公告)号：CN1773709A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510103902.9

申请日：2005-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  申尚旻 ,  李政勋 ,  张丞爀

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C11/5621 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/025 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/7923

Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。

公开(公告)号：CN1694256A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN100463181C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN100377355C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03156671.5

申请日：2003-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  李容均 ,  姜保守 ,  卢泰元 ,  尹钟杰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成份比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。

公开(公告)号：CN101013694A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610128596.9

申请日：2006-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  朴永洙 ,  具俊谟 ,  裵丙才 ,  宋利宪 ,  金锡必

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的铁电电容器、具有该铁电电容器的非易失性存储器件及其制造方法。该铁电电容器包括：沟槽型下电极；绝缘中间层，形成在该下电极周围，例如为SiO2层；扩散阻挡层，形成在该绝缘中间层上；铁电层(PZT层)，形成在该下电极和该扩散阻挡层上；以及上电极，形成在该铁电层上。

公开(公告)号：CN1773711A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510084791.1

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  徐顺爱 ,  赵重来 ,  金元柱 ,  申尚旻

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7926 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明公开一种多位非易失性存储器件、操作该器件的方法以及制造多位非易失性存储器件的方法。形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元包括：垂直于半导体衬底的上表面设置的多个沟道；垂直于半导体衬底的上表面在沟道相对侧设置的多个存储节点；围绕沟道及存储节点的上部分和存储节点的侧表面的控制栅极；以及形成在沟道和存储节点之间、沟道和控制栅极之间、以及存储节点和控制栅极之间的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1738052A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510089744.6

申请日：2005-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  朴永洙 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器，该铁电电容器包括第一电极，所述第一电极包括含有元素周期表中的第一金属元素和第二金属元素的合金，所述第一金属元素选自Ir和Ru构成的组。在所述第一电极上设置铁电层，其中所述铁电层包括含有所述第二元素的铁电材料。在所述铁电层上设置第二电极。可以将所述铁电电容器设置为铁电存储器的存储单元的一部分。

公开(公告)号：CN101165919A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710152423.5

申请日：2007-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  黄仁俊 ,  玄在雄 ,  朴允童 ,  薛光洙 ,  申尚旻 ,  崔相武 ,  朴珠姬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置的操作方法，其中，该半导体存储器装置可以包括半导体基底、凹进到半导体基底中的控制栅极、位于控制栅极与半导体基底之间的存储节点层、位于存储节点层与半导体基底之间的隧穿绝缘层、位于存储节点层与控制栅极之间的阻挡绝缘层、环绕控制栅极并被成对的相对的分离绝缘层分隔开的第一沟道区和第二沟道区。该操作方法可以包括通过穿过阻挡绝缘层的电荷隧穿在存储节点层中编入数据，从而实现相对高的可靠性和效率。

公开(公告)号：CN101034590A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710087705.1

申请日：2007-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  朴永洙 ,  申尚旻 ,  车映官

IPC: G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/0416 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种存储器件及其操作方法。示范性方法涉及对存储器件进行存储操作的方法，且可以包括在存储器件的编程操作期间对存储器件施加负偏压且在存储器件的擦除操作期间对存储器件施加正偏压。示范性存储器件包括基板和形成于基板上的栅极结构，该栅极结构表现出在负偏压下比在正偏压下更快的平带电压偏移，该栅极结构在存储器件的编程期间接收负偏压，且在存储器件的擦除操作期间接收正偏压。