公开(公告)号：CN1519939A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN03156671.5

申请日：2003-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  李容均 ,  姜保守 ,  卢泰元 ,  尹钟杰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成分比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。

公开(公告)号：CN100377355C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03156671.5

申请日：2003-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  李容均 ,  姜保守 ,  卢泰元 ,  尹钟杰

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成份比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。