-
公开(公告)号：CN106159081A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610318799.8
申请日：2016-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , H01L21/02071 , H01L21/02266 , H01L21/31105 , H01L21/32131 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种形成图案的方法、磁性存储器装置及其制造方法。所述形成图案的方法包括步骤：在衬底上形成蚀刻目标层；将蚀刻目标层图案化以形成图案；利用从第一离子源产生的第一离子束在图案的侧壁上形成绝缘层；以及利用从第二离子源产生的第二离子束去除绝缘层，其中第一离子源和第二离子源中的每一个包括绝缘源，并且其中绝缘源包括氧或氮中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN101026129A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710006318.0
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 在形成非易失性存储器件的方法中，以及在根据该方法形成的器件中，当从其中形成公共源极线的衬底的区域除去器件隔离区时，同时地除去在构图构成存储单元的层叠结构中使用的硬掩模。
-
公开(公告)号：CN110943158A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910863571.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 制造半导体装置的方法包括：形成包括第一磁性层、第二磁性层和介于第一磁性层与第二磁性层之间的隧道阻挡层的磁隧道结层；图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；以及执行热处理工艺以结晶第一磁性层和第二磁性层的至少一部分。热处理工艺可包括：在形成磁隧道结层之后在第一温度下执行第一热处理工艺，以及在形成绝缘层之后在高于或等于第一温度的第二温度下执行第二热处理工艺。
-
公开(公告)号：CN109524541A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811087711.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。
-
公开(公告)号：CN118678868A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311363653.1
申请日：2023-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：在衬底上的多个数据存储图案，多个数据存储图案在平行于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；在多个数据存储图案上的第一上导线，第一上导线在第一方向上延伸并且连接到多个数据存储图案；在第一上导线上并且在第一方向上延伸的第二上导线；以及多个穿通接触件，其在第一上导线和第二上导线之间并且在第一方向上彼此间隔开。多个穿通接触件被布置为在第一方向上从多个数据存储图案偏移。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026129B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200710006318.0
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 在形成非易失性存储器件的方法中，以及在根据该方法形成的器件中，当从其中形成公共源极线的衬底的区域除去器件隔离区时，同时地除去在构图构成存储单元的层叠结构中使用的硬掩模。
-
公开(公告)号：CN117677203A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311075199.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括单元区和外围区以及在它们之间的边界区；下绝缘层，在单元区上并延伸到边界区和外围区上；数据存储图案，在单元区上的下绝缘层上；单元绝缘层，在单元区上的下绝缘层上和在数据存储图案上；第一上绝缘层，在单元绝缘层上；外围导电线，在外围区上的下绝缘层上；以及外围绝缘层，在外围区上的下绝缘层上和在外围导电线上。外围绝缘层延伸到在边界区上的下绝缘层上以与单元绝缘层的侧表面和第一上绝缘层的侧表面接触。外围绝缘层包括与单元绝缘层不同的材料。
-
公开(公告)号：CN110943158B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201910863571.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 制造半导体装置的方法包括：形成包括第一磁性层、第二磁性层和介于第一磁性层与第二磁性层之间的隧道阻挡层的磁隧道结层；图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；以及执行热处理工艺以结晶第一磁性层和第二磁性层的至少一部分。热处理工艺可包括：在形成磁隧道结层之后在第一温度下执行第一热处理工艺，以及在形成绝缘层之后在高于或等于第一温度的第二温度下执行第二热处理工艺。
-
公开(公告)号：CN109524541B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811087711.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。
-
公开(公告)号：CN114914269A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210106249.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；数据存储图案，在第一区域上并且在第一方向上彼此间隔开；上绝缘层，在第一区域和第二区域上以及数据存储图案上；单元线结构，穿透第一区域上的上绝缘层，在第一方向上延伸，并且电连接到数据存储图案；以及上连接结构，穿透第二区域上的上绝缘层。上连接结构包括上导线和沿着上导线的底表面布置的上导电接触。上导线的底表面位于比单元线结构的底表面高的高度。单元线结构的侧表面具有连续延伸的直线形状。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.021 seconds)
