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公开(公告)号：CN118678868A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311363653.1
申请日：2023-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：在衬底上的多个数据存储图案，多个数据存储图案在平行于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；在多个数据存储图案上的第一上导线，第一上导线在第一方向上延伸并且连接到多个数据存储图案；在第一上导线上并且在第一方向上延伸的第二上导线；以及多个穿通接触件，其在第一上导线和第二上导线之间并且在第一方向上彼此间隔开。多个穿通接触件被布置为在第一方向上从多个数据存储图案偏移。
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公开(公告)号：CN110931632A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910540101.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例，MRAM器件可以包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。
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公开(公告)号：CN109841727B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811285410.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。
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公开(公告)号：CN110943158B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201910863571.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 制造半导体装置的方法包括：形成包括第一磁性层、第二磁性层和介于第一磁性层与第二磁性层之间的隧道阻挡层的磁隧道结层；图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；以及执行热处理工艺以结晶第一磁性层和第二磁性层的至少一部分。热处理工艺可包括：在形成磁隧道结层之后在第一温度下执行第一热处理工艺，以及在形成绝缘层之后在高于或等于第一温度的第二温度下执行第二热处理工艺。
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公开(公告)号：CN113346008A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110189862.3
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 嵌入式器件包括：第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在第一区域中的第一绝缘层中的下电极接触；第一结构，在第二绝缘层中并接触下电极接触，第一结构具有下电极、磁隧道结和上部电极；第一金属布线结构，穿过在第二区域中的第一和第二绝缘层；在第二绝缘层上的第三绝缘层；位线结构，穿过在第一区域中的第三绝缘层和第二绝缘层，位线结构具有第一高度并接触上电极；以及第二金属布线结构，穿过在第二区域中的第三绝缘层，第二金属布线结构接触第一金属布线结构并具有低于第一高度的第二高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397639A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010811130.9
申请日：2020-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。
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公开(公告)号：CN109841727A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811285410.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。
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公开(公告)号：CN110931632B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910540101.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例，MRAM器件可以包括：在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。
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公开(公告)号：CN112825343A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN202011061324.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储器件和一种嵌入式装置。所述磁阻随机存取存储器件包括：第一绝缘中间层，位于衬底上；下电极接触，穿过所述第一绝缘中间层；第一结构，分别位于所述下电极接触上，每个所述第一结构包括堆叠的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；第二绝缘中间层，位于所述第一结构和所述第一绝缘中间层上，所述第二绝缘中间层填充所述第一结构之间的空间；第三绝缘中间层，直接接触所述第二绝缘中间层，所述第三绝缘中间层的介电常数低于所述第二绝缘中间层的介电常数；和位线，穿过所述第三绝缘中间层和所述第二绝缘中间层，所述位线接触所述第一结构中的一个第一结构的所述上电极。
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