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发明公开
磁存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN112397639A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010811130.9

申请日：2020-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李叙元 , 文廷桓 , 朴正熏 , 金禹珍 , 洪亨善

IPC: H01L43/08 , H01L43/14 , G11C11/16

Abstract: 磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩(SOT)诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结(MTJ)结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。

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