公开(公告)号：CN117677203A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311075199.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊会 ,  申贤哲 ,  玄自煐

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括单元区和外围区以及在它们之间的边界区；下绝缘层，在单元区上并延伸到边界区和外围区上；数据存储图案，在单元区上的下绝缘层上；单元绝缘层，在单元区上的下绝缘层上和在数据存储图案上；第一上绝缘层，在单元绝缘层上；外围导电线，在外围区上的下绝缘层上；以及外围绝缘层，在外围区上的下绝缘层上和在外围导电线上。外围绝缘层延伸到在边界区上的下绝缘层上以与单元绝缘层的侧表面和第一上绝缘层的侧表面接触。外围绝缘层包括与单元绝缘层不同的材料。

公开(公告)号：CN119730251A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410554380.7

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊会 ,  李吉镐 ,  权信 ,  赵贤雅

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，该衬底包括单元区域和外围区域；第一下绝缘层，设置在单元区域上并延伸到外围区域上；第二下绝缘层，设置在单元区域上的第一下绝缘层上并延伸到外围区域上的第一下绝缘层上；数据存储图案，设置在单元区域上的第二下绝缘层上；单元绝缘层，设置在单元区域上的第二下绝缘层上并覆盖数据存储图案；以及外围绝缘层，设置在外围区域上的第二下绝缘层上并且包括与单元绝缘层不同的材料。外围区域上的第二下绝缘层的厚度小于单元区域上的第二下绝缘层的最大厚度。

公开(公告)号：CN118674058A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410261390.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金相国 ,  金俊会 ,  朴规荣 ,  高宽协 ,  李吉镐

IPC: G06N7/08

Abstract: 公开了一种包括混沌逻辑装置的混沌计算机的操作方法、一种利用自旋孤立子的混沌计算方法和一种混沌计算机。该操作方法包括：基于对应于第一逻辑运算的第一初始状态设置第一初始值；将设置的第一初始值施加到混沌逻辑装置；基于第一输入数据设置要施加到混沌逻辑装置的第一输入值；将第一输入值施加至混沌逻辑装置；产生混沌信号，以使混沌逻辑装置在混沌模式下操作；将混沌信号施加到混沌逻辑装置；测量来自基于第一输入值和混沌信号操作的混沌逻辑装置的第一输出值；以及基于第一输出值产生第一输出数据。混沌逻辑装置包括被配置为其中形成有自旋孤立子的磁性薄膜。

公开(公告)号：CN115411177A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202111091288.4

申请日：2021-09-17

Applicant: 首尔大学校产学协力团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金相国 ,  梁在鹤 ,  宋胤宗 ,  李吉镐 ,  金俊会

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 一种核磁化翻转方法包括通过向第一磁性斯格明子施加第一交流(AC)磁场将所述第一磁性斯格明子变换成斯格明子纹理，并且然后通过向斯格明子纹理施加第二AC磁场将斯格明子纹理变换成第二磁性斯格明子。第一磁性斯格明子可以在半球形壳体上形成，该半球形壳体可以通过以下方式形成：(i)制备具有多个突起的膜，以及(ii)在所述膜上堆叠包括铂(Pt)、镍(Ni)、或钯(Pd)中的至少一种的第一层和包括铁磁材料的第二层。第一AC磁场和第二AC磁场可以具有不同频率。