公开(公告)号：CN109524541B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201811087711.1

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洪贤 ,  高升必 ,  申贤哲 ,  李吉镐

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN109524541A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811087711.1

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洪贤 ,  高升必 ,  申贤哲 ,  李吉镐

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。