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公开(公告)号：CN110620150B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201910412594.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
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公开(公告)号：CN112002757A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010272045.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间隔物可以覆盖栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对。第一半导体层可以覆盖半导体图案在第一方向上的侧壁以及第一间隔物和衬底的表面。第一半导体层可以具有第一杂质浓度。第二半导体层可以形成在第一半导体层上，并且可以具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度。该半导体器件可以具有良好的特性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN105933689B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610112507.5
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/211 , H04N13/207 , H04N13/117
Abstract: 提供了一种图像处理方法，包括以下操作：收集第一运动图像；提取关于形成所述第一运动图像的帧中的至少一部分帧的空间信息；将所提取的空间信息反映到与所述第一运动图像相对应的3D视图的生成。
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公开(公告)号：CN112054057A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010106539.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
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公开(公告)号：CN101046723A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610121311.9
申请日：2006-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/048
CPC classification number: G06F3/0482 , G06F3/0338 , G06F3/0362 , H04N5/4403 , H04N21/42204 , H04N21/42209 , H04N21/4222 , H04N21/4312 , H04N2005/441 , H04N2005/4414 , H04N2005/4416
Abstract: 一种使用提供的微动转盘和导航键控制用户界面的装置和方法。该方法包括在具有至少一层的菜单结构中使用微动转盘导航主菜单和使用导航键导航子菜单；以及当导航子菜单时检测到微动转盘的移动时，导航主菜单而不使用单独的按键输入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115910926A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210979114.X
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
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公开(公告)号：CN107087101A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710083611.0
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备和一种操作电子设备中的全景功能的方法。所述电子设备包括至少一个处理器、存储器、被配置为如果开始图像捕捉则顺序获得多个图像的相机和被配置为感测电子设备的运动的传感器。所述至少一个处理器被配置为在存储器中存储全景内容文件，该全景内容文件包括基于多个图像和在图像捕捉期间感测到的电子设备的运动生成的全景图像数据和动态全景数据。
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公开(公告)号：CN102104111A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010562707.3
申请日：2010-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种形成可变电阻存储器件的电极的方法和使用该方法的可变电阻半导体存储器件。该方法包括：形成加热电极；在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及在该可变电阻材料层上形成顶电极，其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。
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公开(公告)号：CN100552609C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610121311.9
申请日：2006-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/048
CPC classification number: G06F3/0482 , G06F3/0338 , G06F3/0362 , H04N5/4403 , H04N21/42204 , H04N21/42209 , H04N21/4222 , H04N21/4312 , H04N2005/441 , H04N2005/4414 , H04N2005/4416
Abstract: 一种使用提供的微动转盘和导航键控制用户界面的装置和方法。该方法包括在具有至少一层的菜单结构中使用微动转盘导航主菜单和使用导航键导航子菜单；以及当导航子菜单时检测到微动转盘的移动时，导航主菜单而不使用单独的按键输入。
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公开(公告)号：CN112054057B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010106539.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
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