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公开(公告)号：CN107039507A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/823431 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78 , H01L29/41725 , H01L29/42316
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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公开(公告)号：CN119403189A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411004238.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：基底；有源区域，在基底上沿着第一水平方向延伸，并且包括第一有源图案、第二有源图案和过渡有源图案，第一有源图案在基底的底表面上方沿着竖直方向的第一高度处并且在水平的第二方向上具有第一宽度，第二有源图案在第二方向上具有不同于第一宽度的第二宽度，过渡有源图案将第一有源图案连接到第二有源图案；栅极结构，与有源区域交叉，每个栅极结构在第二方向上横跨基底延伸；源极/漏极区域，设置在栅极结构的侧面上，并且包括设置在第一有源图案上的第一源极/漏极区域、设置在第二有源图案上的第二源极/漏极区域和设置在过渡有源图案上的过渡源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN111816565B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202010194754.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底的第一区域中形成有源鳍和与有源鳍交叉的牺牲栅极结构；在基底上形成第一间隔件和第二间隔件以覆盖牺牲栅极结构；在基底的第二区域中形成掩模以暴露基底的第一区域；通过使用掩模从基底的第一区域中的第一间隔件去除第二间隔件；通过去除有源鳍的部分在牺牲栅极结构的相对侧处形成凹进；在凹进中形成源极和漏极；以及形成蚀刻停止层以覆盖牺牲栅极结构的两个侧壁以及源极和漏极的顶表面。
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公开(公告)号：CN115910926A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210979114.X
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039507B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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公开(公告)号：CN109786334B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811324293.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。
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公开(公告)号：CN116093107A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211241779.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。
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公开(公告)号：CN111816565A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010194754.0
申请日：2020-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底的第一区域中形成有源鳍和与有源鳍交叉的牺牲栅极结构；在基底上形成第一间隔件和第二间隔件以覆盖牺牲栅极结构；在基底的第二区域中形成掩模以暴露基底的第一区域；通过使用掩模从基底的第一区域中的第一间隔件去除第二间隔件；通过去除有源鳍的部分在牺牲栅极结构的相对侧处形成凹进；在凹进中形成源极和漏极；以及形成蚀刻停止层以覆盖牺牲栅极结构的两个侧壁以及源极和漏极的顶表面。
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公开(公告)号：CN109786334A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811324293.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。
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