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公开(公告)号：CN103972099A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410025155.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/66795
Abstract: 本发明描述了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括提供鳍状物和多个栅极，该鳍状物形成为从衬底突出，该栅极形成在鳍状物上以与所述鳍状物相交；在所述鳍状物内在相应栅极的至少一侧上形成第一凹陷；在所述第一凹陷的表面上形成氧化物层；以及通过去除所述氧化物层将第一凹陷扩展到第二凹陷中。还公开了相关的器件。
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公开(公告)号：CN110620150A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910412594.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
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公开(公告)号：CN107039507A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/823431 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/41791 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78 , H01L29/41725 , H01L29/42316
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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公开(公告)号：CN110620150B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201910412594.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。
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公开(公告)号：CN107039507B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349716A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010267941.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN117293163A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310745539.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区，在基板上在第一方向上延伸；多个半导体层，在有源区上在垂直方向上彼此间隔开，所述多个半导体层包括下半导体层和上半导体层；栅极结构，在基板上在第二方向上延伸以与有源区和所述多个半导体层交叉；以及源极/漏极区，在有源区上并接触所述多个半导体层。源极/漏极区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层包括在下半导体层的侧表面上的第一层和提供在有源区上并接触有源区的第二层，第二外延层在第一方向上接触上半导体层的侧表面，并且第一层在第二外延层与下半导体层的侧表面之间。
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公开(公告)号：CN117133807A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589378.9
申请日：2023-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L29/45
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案；多个栅极结构，设置在下部图案上以在第二方向上彼此间隔开，每个栅极结构包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，限定在相邻的栅极结构之间；以及填充源极/漏极凹陷的源极/漏极图案。每个源极/漏极图案可以包括沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第一半导体衬垫、在第一半导体衬垫上并沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第二半导体衬垫、以及在第二半导体衬垫上并填充源极/漏极凹陷的填充半导体膜。第二半导体衬垫可以掺有碳，第一半导体衬垫可以与下部图案和片状图案接触，同时第一半导体衬垫可以包括未碳掺杂区域。
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公开(公告)号：CN112349716B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010267941.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN117199111A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310514951.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括：包括有源图案的衬底；沟道图案，其位于所述有源图案上，所述沟道图案包括多个间隔开并竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到所述多个半导体图案；栅电极，其位于所述多个半导体图案上，所述栅电极包括介于所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间的部分；以及内间隔件，其介于所述栅电极的所述部分与所述源极/漏极图案之间，其中，所述内间隔件是由式(MO)表示的结晶金属氧化物，其中，(O)是氧原子，并且(M)是选自由Mg、Be和Ga组成的组的金属原子。
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