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公开(公告)号：CN114597253A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111478685.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，其包括具有与对应的硅锗衬垫对齐并且填充有掺杂的半导体源极和漏极区的源极和漏极凹部的衬底。设置了堆叠的多个半导体沟道层，它们在衬底内通过在硅锗衬垫之间横向地延伸的对应的埋置的绝缘栅电极区彼此竖直地分离。绝缘栅电极设置在多个半导体沟道层中的最上面的一个上。硅锗衬垫可掺杂有碳。
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公开(公告)号：CN106558618A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610847647.7
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0673 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78 , H01L29/0684 , H01L29/41725 , H01L29/4232 , H01L29/7855
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
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公开(公告)号：CN111415991B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010016458.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上沿第一方向延伸的有源区；衬底上与有源区相交并沿第二方向延伸的栅结构；以及在栅结构的至少一侧的有源区上的源/漏区，其中源/漏区包括：在第一方向上彼此间隔开的多个第一外延层，该多个第一外延层包括第一导电类型的第一杂质；以及填充该多个第一外延层之间的空间的第二外延层，第二外延层包括第一导电类型的第二杂质。
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公开(公告)号：CN111415990B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010014972.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件包括：有源区，其在衬底上在第一方向上延伸；沟道层，其位于有源区上并竖直地间隔开；栅极结构，其与有源区和沟道层交叉，栅极结构在第二方向上延伸并围绕沟道层；以及源/漏区，其位于栅极结构的一侧的有源区上，源/漏区接触沟道层，源/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层具有第一成分并包括第一层和第二层，所述第一层位于沟道层的侧表面上，所述第二层位于源/漏区的下端的有源区上，第二外延层具有与第一成分不同的第二成分，第二外延层在第一方向上位于第一外延层之间，并在第三方向上竖直地位于第一外延层之间。
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公开(公告)号：CN114725216A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111544172.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置所述有源区上。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层。所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质。在所述多个沟道层的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558618B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610847647.7
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
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公开(公告)号：CN112002758A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010401894.0
申请日：2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上在第一方向上延伸的有源区，该有源区具有上表面和侧壁；多个沟道层，其在有源区上方以彼此竖直间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸以与有源区交叉并部分地围绕所述多个沟道层；以及源极/漏极区，其在有源区上在栅电极的至少一侧并与所述多个沟道层接触，并且从有源区的侧壁延伸，并且在与所述多个沟道层当中与有源区相邻的最下沟道层相邻的第一区域中在第二方向上具有大宽度。
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公开(公告)号：CN114678355A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111391234.X
申请日：2021-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源区上；栅极结构，在第二方向上延伸；以及源区/漏区，设置在有源区上，并且连接到多个沟道层中的每个，其中，源区/漏区包括：第一外延层，具有下端部分和沿着多个沟道层的侧表面连续延伸的侧壁部分，并且第一外延层掺杂有第一杂质；以及第二外延层，在第一外延层上，具有与第一外延层的成分不同的成分，并且掺杂有第二杂质，其中，第一杂质在第一外延层的成分中的扩散率低于第二杂质在第一外延层的成分中将具有的扩散率。
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公开(公告)号：CN107068671B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610950591.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。
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