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公开(公告)号：CN109727979B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201811260335.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。
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公开(公告)号：CN109801970B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201811329444.4
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；在第一区域上的第一栅极结构；在第二区域上的第二栅极结构；在第三区域上的第三栅极结构；以及在第四区域上的第四栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极绝缘层、第一材料层和第一栅电极层。第二栅极结构包括第二栅极绝缘层、第二材料层和第二栅电极层。第三栅极结构包括第三栅极绝缘层、第三材料层和第三栅电极层。第四栅极结构包括第四栅极绝缘层和第四栅电极层。第一材料层、第二材料层和第三材料层具有不同的厚度。第一材料层包括下金属层、上金属层、以及其间的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN109801970A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811329444.4
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；在第一区域上的第一栅极结构；在第二区域上的第二栅极结构；在第三区域上的第三栅极结构；以及在第四区域上的第四栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极绝缘层、第一材料层和第一栅电极层。第二栅极结构包括第二栅极绝缘层、第二材料层和第二栅电极层。第三栅极结构包括第三栅极绝缘层、第三材料层和第三栅电极层。第四栅极结构包括第四栅极绝缘层和第四栅电极层。第一材料层、第二材料层和第三材料层具有不同的厚度。第一材料层包括下金属层、上金属层、以及其间的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN106558618A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610847647.7
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0673 , H01L29/456 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/78 , H01L29/0684 , H01L29/41725 , H01L29/4232 , H01L29/7855
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110649020B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910283171.2
申请日：2019-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一栅电极层，所述第一栅电极层位于所述第一区域上，并且包括第一导电层；以及第二栅电极层，所述第二栅电极层位于所述第二区域上，并且包括所述第一导电层、位于所述第一导电层上的第二导电层以及位于所述第二导电层上的阻挡金属层，其中，所述第一栅电极层的上表面位于比所述第二栅电极层的上表面低的水平高度上。
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公开(公告)号：CN110391286B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910007087.8
申请日：2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍隔离绝缘部分，在第一区域和第二区域的每个中，并在第一方向上具有第一宽度；在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区，在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开，并在第一方向上以直线延伸；在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分，分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁，所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧；以及多个栅极结构，在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。
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公开(公告)号：CN106558618B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610847647.7
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
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公开(公告)号：CN110349954A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910137418.X
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；层间介电层，位于基底上，并具有第一开口和第二开口；第一栅极图案，位于第一开口中，并包括堆叠的第一逸出功图案、第一导电阻挡图案、第一阻挡图案和导电图案；第二栅极图案，位于第二开口中。第二栅极图案包括第二逸出功图案和第二导电阻挡图案，第二逸出功图案包括与第一逸出功图案的材料相同的材料，第二导电阻挡图案位于第二逸出功图案上并填充第二开口。第二导电阻挡图案包括与导电图案的材料不同且与第一阻挡图案的材料不同的材料。
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公开(公告)号：CN113903734A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110766100.5
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极间隔物，沿着栅电极的侧壁在第二方向上延伸；层间绝缘层，接触栅极间隔物的侧壁；沟槽，在层间绝缘层中形成在栅电极上；第一覆盖图案，沿着沟槽的侧壁提供，第一覆盖图案的至少一个侧壁具有倾斜的轮廓；以及第二覆盖图案，在沟槽中提供在第一覆盖图案上。
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