公开(公告)号：CN115223935A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210149711.X

申请日：2022-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  朴柱勳 ,  严命允 ,  李留利 ,  李寅烈

IPC: H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍状图案，在第一方向上纵向延伸；第二鳍状图案，在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸；第一栅电极，在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第二栅电极，在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第一栅极分离结构，将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平；第一连接源/漏接触件，在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域，第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。

公开(公告)号：CN113903734A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110766100.5

申请日：2021-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李寅烈 ,  郑润永 ,  金辰昱 ,  裵德汉 ,  严命允

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；栅极间隔物，沿着栅电极的侧壁在第二方向上延伸；层间绝缘层，接触栅极间隔物的侧壁；沟槽，在层间绝缘层中形成在栅电极上；第一覆盖图案，沿着沟槽的侧壁提供，第一覆盖图案的至少一个侧壁具有倾斜的轮廓；以及第二覆盖图案，在沟槽中提供在第一覆盖图案上。

公开(公告)号：CN113270499A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110180664.0

申请日：2021-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李寅烈 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  朴柱勋 ,  裵德汉 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。

公开(公告)号：CN113257805A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110078475.2

申请日：2021-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  裴德汉 ,  金辰昱 ,  朴柱勋 ,  严命允 ,  李寅烈

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，沿第一水平方向在衬底上延伸；栅电极，沿第二水平方向跨有源图案延伸，并且包括第一部分和沿竖直方向从第一部分向上突起的第二部分；覆盖图案，沿第二水平方向在栅电极上延伸；以及栅极接触部，设置在栅电极的第二部分上，与有源图案重叠并且穿透覆盖图案以连接到栅电极。