公开(公告)号：CN113764412A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110122018.9

申请日：2021-01-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴柱勋 ,  裴德汉 ,  金盛民 ,  李留利 ,  郑润永 ,  洪秀妍

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/535

摘要： 公开了一种半导体器件，包括：衬底，具有在一个方向上间隔开的PMOSFET区和NMOSFET区；器件隔离层，设置在衬底上，所述器件隔离层限定分别在PMOSFET区和NMOSFET区上的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，跨越第一有源图案和第二有源图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别设置在第一有源图案和第二有源图案上，并且分别在栅电极附近；以及，有源接触部，在所述方向上延伸并且耦接到第一源/漏图案和第二源/漏图案。所述有源接触部包括：第一主体部分和第二主体部分，所述第一主体部分和第二主体部分分别设置在第一源/漏图案和第二源/漏图案上；以及第一突出部分和凹陷部分，所述第一突出部分和所述凹陷部分设置在第一主体部分和第二主体部分之间，并且在PMOSFET区和NMOSFET区之间的器件隔离层上。所述凹陷部分具有向上凹陷的底部。

公开(公告)号：CN113782515A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110397525.3

申请日：2021-04-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵德汉 ,  金盛民 ,  朴柱勋 ,  李留利 ,  郑润永 ,  洪秀妍

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

摘要： 集成电路器件可以包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，连接到所述源/漏区。所述源/漏接触图案可以包括：第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一高度，并且所述第二部分具有小于所述第一高度的第二高度。所述源/漏接触图案可以包括：金属插塞，在所述第一部分和所述第二部分中；以及导电阻挡膜，在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上。所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。

公开(公告)号：CN115207101A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210039874.2

申请日：2022-01-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裴德汉 ,  朴柱勋 ,  李留利 ,  郑润永 ,  洪秀妍

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/11

摘要： 一种半导体存储器件，包括：衬底上的有源图案，所述有源图案包括在所述有源图案的上部中的源/漏图案；栅电极，在所述有源图案上并且在第一方向上延伸，所述栅电极与所述源/漏图案在与所述第一方向相交的第二方向上彼此相邻；以及共享接触部，耦接到所述源/漏图案和所述栅电极以将所述源/漏图案和所述栅电极电连接。所述共享接触部包括有源接触部和栅接触部，所述有源接触部和所述栅接触部分别电连接到所述源/漏图案和所述栅电极。所述栅接触部包括：耦接到所述栅电极的主体部；以及突出部，所述突出部沿所述第二方向从所述主体部突出并且延伸到且被掩埋在所述有源接触部中。

公开(公告)号：CN116995076A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310472914.7

申请日：2023-04-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵德汉 ,  严命允 ,  李留利 ,  林善美 ,  田俊秀

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：元件隔离结构，具有彼此相反的第一侧壁和第二侧壁；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第一鳍形图案；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第二鳍形图案；在第一鳍形图案上的第一栅电极；在第一和第二鳍形图案上并在第一栅电极和元件隔离结构之间延伸的第一源极/漏极接触；以及在第一源极/漏极接触上并连接到第一源极/漏极接触的布线结构，其中第一源极/漏极接触包括与第一和第二鳍形图案交叉的下接触区、从下接触区突出的上接触区、以及虚设接触区，布线结构接触上接触区而不接触虚设接触区。

公开(公告)号：CN115223935A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210149711.X

申请日：2022-02-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵德汉 ,  朴柱勳 ,  严命允 ,  李留利 ,  李寅烈

IPC分类号： H01L21/8234

摘要： 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍状图案，在第一方向上纵向延伸；第二鳍状图案，在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸；第一栅电极，在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第二栅电极，在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第一栅极分离结构，将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平；第一连接源/漏接触件，在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域，第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。