公开(公告)号：CN113782515A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110397525.3

申请日：2021-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  金盛民 ,  朴柱勋 ,  李留利 ,  郑润永 ,  洪秀妍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 集成电路器件可以包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，连接到所述源/漏区。所述源/漏接触图案可以包括：第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一高度，并且所述第二部分具有小于所述第一高度的第二高度。所述源/漏接触图案可以包括：金属插塞，在所述第一部分和所述第二部分中；以及导电阻挡膜，在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上。所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。

公开(公告)号：CN109841587A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910278489.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种具有接触塞的半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍；第二鳍，紧邻第一鳍并且基本平行于第一鳍，第一鳍和第二鳍形成多鳍有源区；第一源/漏，位于第一鳍上；第二源/漏，位于第二鳍上；以及第一接触塞，位于第一源/漏上并且位于第二源/漏上，其中，第一接触塞的中心从多鳍有源区的中心偏移。

公开(公告)号：CN113764412A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110122018.9

申请日：2021-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柱勋 ,  裴德汉 ,  金盛民 ,  李留利 ,  郑润永 ,  洪秀妍

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/535

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，具有在一个方向上间隔开的PMOSFET区和NMOSFET区；器件隔离层，设置在衬底上，所述器件隔离层限定分别在PMOSFET区和NMOSFET区上的第一有源图案和第二有源图案；栅电极，跨越第一有源图案和第二有源图案；第一源/漏图案和第二源/漏图案，分别设置在第一有源图案和第二有源图案上，并且分别在栅电极附近；以及，有源接触部，在所述方向上延伸并且耦接到第一源/漏图案和第二源/漏图案。所述有源接触部包括：第一主体部分和第二主体部分，所述第一主体部分和第二主体部分分别设置在第一源/漏图案和第二源/漏图案上；以及第一突出部分和凹陷部分，所述第一突出部分和所述凹陷部分设置在第一主体部分和第二主体部分之间，并且在PMOSFET区和NMOSFET区之间的器件隔离层上。所述凹陷部分具有向上凹陷的底部。

公开(公告)号：CN106067464B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201610206422.3

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106057889A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610168351.2

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  张锺光 ,  金盛民

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案，沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。

公开(公告)号：CN106057890B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201610169618.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  金盛民 ,  张锺光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN109841587B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910278489.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种具有接触塞的半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍；第二鳍，紧邻第一鳍并且基本平行于第一鳍，第一鳍和第二鳍形成多鳍有源区；第一源/漏，位于第一鳍上；第二源/漏，位于第二鳍上；以及第一接触塞，位于第一源/漏上并且位于第二源/漏上，其中，第一接触塞的中心从多鳍有源区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106067464A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610206422.3

申请日：2016-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  金盛民 ,  赵治元

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。

公开(公告)号：CN106057890A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610169618.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  金盛民 ,  张锺光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。