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公开(公告)号：CN106057887B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201610113173.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 发明构思涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括形成在其上的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间且与基板交叉；以及有源接触件，使第一源极/漏极区和第二源极/漏极区彼此电连接。有源接触件与栅电极分隔开。有源接触件包括：第一子接触件，提供在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上以分别连接到第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二子接触件，提供在第一子接触件上以使第一子接触件彼此电连接；以及阻挡层，提供在第二子接触件和每个第一子接触件之间。
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公开(公告)号：CN106067464B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201610206422.3
申请日：2016-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/11 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置包括第一鳍有源区、基本上与第一鳍有源区平行的第二鳍有源区、位于第一鳍有源区中的第一源/漏区、位于第二鳍有源区中的第二源/漏区、位于第一源/漏区上的第一接触塞以及位于第二源/漏区上的第二接触塞。第二接触塞的中心从第二源/漏区的中心偏移。
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公开(公告)号：CN110391287A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910062673.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一场绝缘膜，围绕第一鳍型图案的至少一部分以及第二鳍型图案的至少一部分；第二场绝缘膜，位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间并从第一场绝缘膜突出；以及第一栅极结构，沿与第一方向交叉的第二方向在第一场绝缘膜和第二场绝缘膜上方延伸，并且包括位于第一场绝缘膜上的第一部分以及位于第二场绝缘膜上的第二部分，其中，第一栅极结构的第一部分的第一宽度比第一栅极结构的第二部分的第二宽度大。
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公开(公告)号：CN109390406A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810718141.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。
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公开(公告)号：CN109390406B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810718141.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024868B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201610126260.2
申请日：2016-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。
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公开(公告)号：CN106024784A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610149440.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/762
Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN103779394A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310511980.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/7624 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7854
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的第一鳍；和在衬底上形成且与第一鳍的一部分接触的隔离膜，其中第一鳍包括与隔离膜接触的第一区、与隔离膜无接触的第二区、以及在第一区和第二区之间的分界线，第一区具有相对于分界线是直角的斜度，以及第二区具有相对于分界线是锐角的斜度。
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公开(公告)号：CN110391287B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910062673.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一场绝缘膜，围绕第一鳍型图案的至少一部分以及第二鳍型图案的至少一部分；第二场绝缘膜，位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间并从第一场绝缘膜突出；以及第一栅极结构，沿与第一方向交叉的第二方向在第一场绝缘膜和第二场绝缘膜上方延伸，并且包括位于第一场绝缘膜上的第一部分以及位于第二场绝缘膜上的第二部分，其中，第一栅极结构的第一部分的第一宽度比第一栅极结构的第二部分的第二宽度大。
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公开(公告)号：CN106057793B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201610131423.6
申请日：2016-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹彰燮
IPC: H01L27/02 , H01L21/8232
Abstract: 提供了一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基板，包括在其上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极，与第一有源图案和第二有源图案交叉；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，分别在处于第一栅电极的一侧的第一有源图案和第二有源图案上；以及有源接触件，在第一源极/漏极区上以电连接到第一源极/漏极区。有源接触件包括第一子接触件和第二子接触件。第二子接触件包括朝着基板垂直延伸的垂直延伸件。垂直延伸件的底表面低于第一子接触件的底表面。
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