公开(公告)号：CN105679757A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510883219.5

申请日：2015-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出、在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面比第一器件隔离层的顶表面高，第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。

公开(公告)号：CN106298776B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN105895698B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106024784B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201610149440.2

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  刘庭均 ,  朴永俊 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。

公开(公告)号：CN105895698A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN112420842B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN105679757B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201510883219.5

申请日：2015-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出、在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面比第一器件隔离层的顶表面高，第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。

公开(公告)号：CN106024784A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610149440.2

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  刘庭均 ,  朴永俊 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。

公开(公告)号：CN112420842A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106298776A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。