公开(公告)号：CN105789309B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201511000918.7

申请日：2015-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉 ,  朴世玩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：包括多条长边和第一短边的鳍；第一沟槽，其紧邻所述鳍的第一短边并且具有第一深度；第二沟槽，其紧邻第一沟槽并且具有大于第一深度的第二深度；第一突出结构，其从第一沟槽的底部突出并且与第一短边并排延伸；以及栅极，其形成在第一突出结构上以与第一短边并排延伸。

公开(公告)号：CN109390406A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810718141.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  崔秉夏 ,  金旲根 ,  金秀珉 ,  朴世玩 ,  李志镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。

公开(公告)号：CN106298776A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN105789309A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201511000918.7

申请日：2015-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉 ,  朴世玩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：包括多条长边和第一短边的鳍；第一沟槽，其紧邻所述鳍的第一短边并且具有第一深度；第二沟槽，其紧邻第一沟槽并且具有大于第一深度的第二深度；第一突出结构，其从第一沟槽的底部突出并且与第一短边并排延伸；以及栅极，其形成在第一突出结构上以与第一短边并排延伸。

公开(公告)号：CN105679673A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510736185.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  姜熙秀 ,  郑熙暾 ,  朴世玩

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。

公开(公告)号：CN106298776B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN111180327A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911087858.5

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫助 ,  朴世玩

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：在下结构的第一区上形成第一牺牲核并在下结构的第二区上形成第二牺牲核；在第一牺牲核的侧壁上形成第一间隔件并在第二牺牲核的侧壁上形成第二间隔件；形成覆盖下结构的第二区上的第二间隔件和第二牺牲核的保护图案；从第一区去除第一牺牲核；以及利用第一区上的第一间隔件和第二区上的第二牺牲核和第二间隔件蚀刻下结构。

公开(公告)号：CN105826385A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610032156.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  都承右 ,  朴寅源 ,  成石铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。

公开(公告)号：CN105990446B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201610151295.1

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件可包括：位于衬底上的场绝缘膜；第一鳍式图案，其形成在衬底上，并且从场绝缘膜的上表面向上突出；以及栅电极，其与场绝缘膜上的第一鳍式图案交叉。所述栅电极可包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于第一鳍式图案的一侧上并且包括栅电极的第一终端端部，所述第二部分位于第一鳍式图案的另一侧上。从衬底至所述第一部分的最下部的高度可以不同于从衬底至所述第二部分的最下部的高度。

公开(公告)号：CN107359200B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201710605943.0

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。