公开(公告)号：CN112420842B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106298776B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN105895698B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN105895698A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610023864.4

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN116072611A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210967697.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴范琎 ,  成石铉 ,  李豪真 ,  金洞院 ,  李东奎 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  崔汉别 ,  河智龙

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。

公开(公告)号：CN112420842A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。

公开(公告)号：CN106298776A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610371338.7

申请日：2016-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金炫助 ,  朴性律 ,  朴世玩 ,  尹钟密 ,  李廷骁 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  河智龙

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。

公开(公告)号：CN105742355A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510649866.X

申请日：2015-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴永俊 ,  河智龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/785 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42356

Abstract: 本公开提供具有填充物的半导体器件，该半导体器件包括：有源鳍，从基板突出并在第一方向上延伸；第一器件隔离区，设置在有源鳍的侧壁处并在第二方向上延伸，第二方向交叉第一方向；正常栅电极，交叉有源鳍；第一虚设栅电极，具有在第一器件隔离区上的底切部分，第一虚设栅电极在第二方向上延伸；以及第一填充物，填充第一器件隔离区上的底切部分，其中底切部分设置在第一虚设栅电极的下部分处。