公开(公告)号：CN119943109A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411572845.8

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳勋 ,  吴明姬 ,  郑铉泽 ,  崔汉别

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24

Abstract: 公开了存储器装置、存储器系统和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条位线的多个存储器单元；第一复用器，包括连接到所述多条位线的多个晶体管；参考电路，生成参考电流；解码电路，将参考电流传输至第一复用器；以及控制逻辑电路，连接到参考电路和解码电路。控制逻辑电路控制解码电路将参考电流施加至连接到所述多条位线之中的至少两条位线中的每条的晶体管，使得第一电流流过所述至少两条位线。

公开(公告)号：CN116072611A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210967697.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴范琎 ,  成石铉 ,  李豪真 ,  金洞院 ,  李东奎 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  崔汉别 ,  河智龙

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。