公开(公告)号：CN117894838A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311324255.9

申请日：2023-10-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  朴俊起 ,  金成焕 ,  金完敦 ,  成石铉 ,  李贤培

IPC分类号： H01L29/78

摘要： 一种半导体器件包括：在衬底上的有源区；彼此间隔开的多个沟道层；在衬底上的栅极结构；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极区；以及连接到源极/漏极区的接触插塞。接触插塞包括金属半导体化合物层和在金属半导体化合物层上的阻挡层。接触插塞包括位于金属半导体化合物层和阻挡层彼此直接接触的位置处的第一倾斜表面和第二倾斜表面。阻挡层包括朝向栅极结构突出的第一端和第二端。第一端和第二端位于比最上面的沟道层的上表面高的水平处。金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏极区的上表面高的水平处。

公开(公告)号：CN107026088B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201710063704.7

申请日：2017-02-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴起宽 ,  刘庭均 ,  金基一 ,  成石铉 ,  严命允

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。

公开(公告)号：CN105826385B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201610032156.7

申请日：2016-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  都承右 ,  朴寅源 ,  成石铉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。

公开(公告)号：CN106206576B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201610366218.8

申请日：2016-05-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC分类号： H01L27/088

摘要： 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。

公开(公告)号：CN106684147A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610545881.4

申请日：2016-07-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  金基一 ,  朴起宽 ,  成石铉 ,  严命允

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66795

摘要： 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。

公开(公告)号：CN105870161A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510994278.X

申请日：2015-12-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘庭均 ,  成石铉

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：具有第一深度以限定鳍的第一槽；直接邻近所述第一槽的第二槽，其具有大于所述第一深度的第二深度；场绝缘层，其填充所述第一槽的一部分和所述第二槽的一部分；以及突出结构，其从所述第一槽的底部突出并且低于所述场绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN103426731A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310181367.3

申请日：2013-05-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 成石铉 ,  金明哲 ,  郑明勋

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1104

摘要： 本发明提供了利用具有非金属部分的掩模形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法能够通过如下提供：形成包括非金属的第一间隔部分和非金属的第二间隔部分的掩模图案，该非金属的第一间隔部分在下目标层上在第一方向上延伸，该非金属的第二间隔部分在下目标层上在第二方向上延伸以在多个位置交叉非金属的第一间隔部分。下目标层能够利用该掩模图案被蚀刻。

公开(公告)号：CN116417517A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211649779.0

申请日：2022-12-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 成石铉 ,  刘庭均 ,  丁美厘

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 提供能够提高器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，包括在第一方向上延伸的下图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案，其中下图案包括半导体材料；多个栅极结构，在下图案上并在第一方向上彼此间隔开，其中所述多个栅极结构中的每个包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，在栅极结构中的相邻的栅极结构之间，其中源极/漏极凹陷的底部在下图案中；底绝缘衬垫，在源极/漏极凹陷的底部中；以及源极/漏极图案，在源极/漏极凹陷中并且在底绝缘衬垫之上。

公开(公告)号：CN106486483B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201610791568.9

申请日：2016-08-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  金基一

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

摘要： 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。

公开(公告)号：CN106683987B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。