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公开(公告)号：CN101393904A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810176959.5
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：第一绝缘层，在半导体器件的下层接触区域上，第一绝缘层具有上表面；第一导电图案，在穿过第一绝缘层的第一开口中，第一导电图案的上部具有第一宽度，第一导电图案的上表面相对于第一绝缘层的上表面凹陷，从而第一导电图案的上表面相对于下层接触区域的高度小于第一绝缘层的上表面相对于下层接触区域的高度；以及第二导电图案，其接触第一导电图案的上表面，第二导电图案的下部具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN101330072A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810127785.3
申请日：2008-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/7684 , H01L21/76867 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种包括金属互连的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：位于半导体层上并包括沟道的第一层间电介质；位于所述第一层间电介质上的掩模图案；位于所述沟道中的第一导电图案；和位于所述掩模图案上的第二层间电介质。所述第二层间电介质包括位于所述第一导电图案之上的开口。第二导电图案位于所述开口中并电连接至所述第一导电图案。所述第一导电图案具有低于所述掩模图案的上表面的上表面。
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公开(公告)号：CN100411322C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410104745.9
申请日：2004-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L1/0027 , H04L1/0072 , H04W74/04
Abstract: 本发明公开了一种在包括UE和节点B的移动通信系统中，从UE将控制信息发送到节点B的方法，该UE和节点B发送和接收高速数据以及与其对应的控制信息。在这种方法中，仅在UE管理之下、从控制信息中提取可用的控制信息，并且重置对应于提取的各个控制信息的标识符。另外，从已重置的标识符中选择对应于用于进行数据传输的控制信息的标识符，并且发送所选的标识符。
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公开(公告)号：CN100379314C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510064098.8
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W24/10 , H04L1/0026 , H04L1/0027 , H04W72/08 , Y02D70/1244 , Y02D70/25
Abstract: 提供一种用于在移动通信系统中在无线电信道上有效地发送信道质量信息的方法和装置。信道质量信息的报告周期根据与无线电信道多普勒频率有关的时变特性或信道质量信息的变化而自适应地改变。因此，信道质量信息被有效地发送。并且，不必要的频繁信息传输的减少也降低了上行干扰功率电平和用户设备(UE)的功耗。
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公开(公告)号：CN118016713A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311456002.7
申请日：2023-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一区域和第二区域的衬底、位于衬底的第一区域上的第一栅极结构、位于衬底的与第一栅极结构相邻的部分上的第一源极/漏极层、位于衬底的第二区域上的第二栅极结构、位于衬底的与第二栅极结构相邻的部分上的第二源极/漏极层、第一接触插塞以及第二接触插塞。第一接触插塞包括位于第一源极/漏极层上的第一金属硅化物图案以及位于第一金属硅化物图案上的第一导电图案。第一金属硅化物图案包括第一金属的硅化物和不同于第一金属的第二金属的硅化物。第二接触插塞包括位于第二源极/漏极层上的第二金属硅化物图案以及位于第二金属硅化物图案上的第二导电图案。第二金属硅化物图案包括第一金属的硅化物和第二金属的硅化物。包括在第一金属硅化物图案中的第一金属与第二金属的第一比率不同于包括在第二金属硅化物图案中的第一金属与第二金属的第二比率。
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公开(公告)号：CN117878094A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311299270.2
申请日：2023-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L27/088 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件可以包括：限定沟槽的各部分的第一膜和第二膜、插塞导电膜、通路、以及位于所述沟槽中的布线。所述沟槽可以包括具有第一宽度的第一子沟槽以及位于所述第一子沟槽下方的具有第二宽度的第二子沟槽。所述插塞导电膜可以从所述第一膜的第一侧延伸以穿透所述沟槽的底面。所述插塞导电膜的最上面可以位于所述沟槽中。所述通路可以包括位于所述插塞导电膜与所述第一膜之间的绝缘衬里。所述插塞导电膜的所述最上面和所述插塞导电膜的侧壁的至少一部分可以与所述布线接触。所述绝缘衬里的上面可以通过所述第二子沟槽的底面被暴露。
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公开(公告)号：CN118398585A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311336063.X
申请日：2023-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/48 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，该衬底包括有源图案；源极/漏极图案，该源极/漏极图案位于有源图案上；有源接触，该有源接触位于源极/漏极图案上；下电力线路，该下电力线路位于衬底中；下接触，该下接触将有源接触垂直地连接到下电力线路；导电层，该导电层位于下接触与下电力线路之间；以及电力输送网络层，该电力输送网络层位于衬底的底表面上。导电层可以包括硅(Si)和第一元素。第一元素可以包括过渡金属或类金属。第一元素的浓度可以在从下接触朝向下电力线路的方向上降低。
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公开(公告)号：CN114678346A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111375811.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/092
Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一层间电介质层；在第一层间电介质层中的多个第一通路；在第一层间电介质层上的第二层间电介质层；以及在第二层间电介质层中的第一电源线和第一下部线，电连接到第一通路中的相应的第一通路。第一电源线的在第一方向上的第一宽度大于第一下部线的在第一方向上的第二宽度。第一电源线包括第一金属材料。第一下部线包括第二金属材料。第一通路包括第三金属材料。第一金属材料、第二金属材料和第三金属材料彼此不同。
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公开(公告)号：CN114171519A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110932691.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。
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公开(公告)号：CN113937088A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110690120.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L23/528
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一级布线，设置在第一金属级处，并且包括第一线布线、第一绝缘盖膜和第一侧壁石墨烯膜，第一绝缘盖膜沿着第一线布线的上表面延伸，并且第一侧壁石墨烯膜沿着第一线布线的侧壁延伸；层间绝缘膜，覆盖第一线布线的侧壁和第一绝缘盖膜的侧壁；以及第二级布线，设置在比第一金属级高的第二金属级处，并且包括连接到第一线布线的第二过孔和连接到第二过孔的第二线布线，其中，第二过孔穿透第一绝缘盖膜。
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