公开(公告)号：CN106233453B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC: H01L23/532

Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN106233453A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC: H01L21/768 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E60/13 ,  H01L2924/00

Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN101330072A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810127785.3

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  崔吉铉 ,  洪琮沅 ,  朴显 ,  崔庆寅 ,  李贤培

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种包括金属互连的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：位于半导体层上并包括沟道的第一层间电介质；位于所述第一层间电介质上的掩模图案；位于所述沟道中的第一导电图案；和位于所述掩模图案上的第二层间电介质。所述第二层间电介质包括位于所述第一导电图案之上的开口。第二导电图案位于所述开口中并电连接至所述第一导电图案。所述第一导电图案具有低于所述掩模图案的上表面的上表面。