公开(公告)号：CN112614847A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202010796314.2

申请日：2020-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李彰洙 ,  李钟鸣 ,  金益秀 ,  任智芸

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种半导体器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件可以包括：堆叠结构，所述堆叠结构位于衬底上，所述堆叠结构包括多个介电层和多个透明导电氧化物层，所述介电层和所述透明导电氧化物层交替地堆叠，沿竖直方向彼此相邻的每个所述介电层和所述透明导电氧化物层中的相应的透明导电氧化物层具有基本相等的水平宽度；以及沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述堆叠结构，所述沟道结构包括信息存储层、位于所述信息存储层的内部的沟道层和位于所述沟道层的内部的掩埋介电层。

公开(公告)号：CN101393904B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810176959.5

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪琮沅 ,  李钟鸣 ,  崔凤贤 ,  李贤培 ,  成金重

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：第一绝缘层，在半导体器件的下层接触区域上，第一绝缘层具有上表面；第一导电图案，在穿过第一绝缘层的第一开口中，第一导电图案的上部具有第一宽度，第一导电图案的上表面相对于第一绝缘层的上表面凹陷，从而第一导电图案的上表面相对于下层接触区域的高度小于第一绝缘层的上表面相对于下层接触区域的高度；以及第二导电图案，其接触第一导电图案的上表面，第二导电图案的下部具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN101431049A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810184264.1

申请日：2008-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  崔吉铉 ,  李钟鸣 ,  洪琮沅 ,  李贤培

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76877 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法。该扩散阻挡膜包括金属氮化物，该金属氮化物利用金属有机化学气相沉积工艺形成并部分地通过等离子体处理来处理。从而，扩散阻挡膜的电阻率能够被减小，并且扩散阻挡膜可以具有突出的阻挡特性。

公开(公告)号：CN101494212A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810191057.9

申请日：2008-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪琮沅 ,  崔吉铉 ,  黄烘奎 ,  李钟鸣 ,  郭旻根 ,  成金重

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  B32B15/018 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12701 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种焊垫结构、包括该焊垫结构的半导体器件及其制造方法。一种用于半导体器件的焊垫结构包括器件的接合区域中的第二上金属层和在第二上金属层之下的第一下金属层。下金属层形成为下金属层的金属不存在于接合区域。因此，如果在例如探测或者接合的工艺过程中在接合区域产生对结构的损坏，下金属层不会暴露到环境。暴露到环境引起的下金属层的金属的氧化被防止，从而提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1503344A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李絃德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。

公开(公告)号：CN106233453B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC: H01L23/532

Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN106233453A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC: H01L21/768 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E60/13 ,  H01L2924/00

Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN101393904A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810176959.5

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪琮沅 ,  李钟鸣 ,  崔凤贤 ,  李贤培 ,  成金重

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：第一绝缘层，在半导体器件的下层接触区域上，第一绝缘层具有上表面；第一导电图案，在穿过第一绝缘层的第一开口中，第一导电图案的上部具有第一宽度，第一导电图案的上表面相对于第一绝缘层的上表面凹陷，从而第一导电图案的上表面相对于下层接触区域的高度小于第一绝缘层的上表面相对于下层接触区域的高度；以及第二导电图案，其接触第一导电图案的上表面，第二导电图案的下部具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN100454515C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。

公开(公告)号：CN101330072A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810127785.3

申请日：2008-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  崔吉铉 ,  洪琮沅 ,  朴显 ,  崔庆寅 ,  李贤培

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种包括金属互连的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：位于半导体层上并包括沟道的第一层间电介质；位于所述第一层间电介质上的掩模图案；位于所述沟道中的第一导电图案；和位于所述掩模图案上的第二层间电介质。所述第二层间电介质包括位于所述第一导电图案之上的开口。第二导电图案位于所述开口中并电连接至所述第一导电图案。所述第一导电图案具有低于所述掩模图案的上表面的上表面。