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公开(公告)号：CN110364415A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910240455.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。
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公开(公告)号：CN110364415B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910240455.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。
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公开(公告)号：CN112420836B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010409305.3
申请日：2020-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D30/60 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一金属的下部接触图案；包括第二金属的上部接触图案，所述第一金属的第一电阻率大于所述第二金属的第二电阻率；以及位于所述下部接触图案与所述上部接触图案的下部之间的金属阻挡层，所述金属阻挡层包括第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属不同。所述上部接触图案的下部宽度可以小于所述下部接触图案的上部宽度。
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公开(公告)号：CN117810227A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310625143.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案和源极/漏极图案，沟道图案和源极/漏极图案位于有源图案上，其中，沟道图案连接至源极/漏极图案；栅电极，其位于沟道图案上；以及栅极接触件，其连接至栅电极的顶表面，其中，栅极接触件包括与栅电极的顶表面直接接触的封盖层和位于封盖层上的金属层，其中封盖层和金属层包括相同的金属，金属层中的氧的浓度在约2at％至约10at％之间的范围内，并且封盖层中的氧的最大浓度在约15at％至约30at％之间的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119521762A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411057328.7
申请日：2024-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件可以包括：背面布线，在第一背面层间绝缘膜中；鳍型图案，在背面布线上；第二背面层间绝缘膜，在鳍型图案和第一背面层间绝缘膜之间；栅电极，在鳍型图案上；第一源/漏图案，在栅电极的一侧上；以及背面源/漏接触件，在由鳍型图案和第二背面层间绝缘膜限定的背面接触孔中。背面源/漏接触件可以连接背面布线和第一源/漏图案。背面源/漏接触件可以包括上部图案和下部图案。上部图案可以在下部图案和第一源/漏图案之间，并且可以填充第一背面接触孔的至少一部分。上部图案可以具有单导电膜结构。
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公开(公告)号：CN116053277A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211317477.3
申请日：2022-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/45 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括包含有源图案的衬底、在有源图案上并彼此连接的沟道图案和源极/漏极图案、以及电连接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括第一阻挡金属和在第一阻挡金属上的第一填充金属，第一阻挡金属包括金属氮化物层。第一填充金属包括钼、钨、钌、钴和钒中的至少一种。第一填充金属包括具有体心立方(BCC)结构的第一结晶区和具有面心立方(FCC)结构的第二结晶区。第一填充金属中第一结晶区的比例在从60％至99％的范围内。
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公开(公告)号：CN117878094A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311299270.2
申请日：2023-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L27/088 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件可以包括：限定沟槽的各部分的第一膜和第二膜、插塞导电膜、通路、以及位于所述沟槽中的布线。所述沟槽可以包括具有第一宽度的第一子沟槽以及位于所述第一子沟槽下方的具有第二宽度的第二子沟槽。所述插塞导电膜可以从所述第一膜的第一侧延伸以穿透所述沟槽的底面。所述插塞导电膜的最上面可以位于所述沟槽中。所述通路可以包括位于所述插塞导电膜与所述第一膜之间的绝缘衬里。所述插塞导电膜的所述最上面和所述插塞导电膜的侧壁的至少一部分可以与所述布线接触。所述绝缘衬里的上面可以通过所述第二子沟槽的底面被暴露。
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公开(公告)号：CN114121948A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110935286.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿不同于第一方向的第二方向延伸跨过鳍型有源区；源/漏区，位于栅极结构的一侧上的鳍型有源区中；以及第一接触结构和第二接触结构，分别连接到源/漏区和栅极结构，其中，第一接触结构和第二接触结构中的至少一者包括位于栅极结构和源/漏区中的至少一者上且包含第一结晶金属的种子层以及位于种子层上且包含不同于第一结晶金属的第二结晶金属的接触插塞，并且第二结晶金属在种子层与接触插塞之间的界面处与第一结晶金属基本晶格匹配。
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公开(公告)号：CN112420836A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010409305.3
申请日：2020-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一金属的下部接触图案；包括第二金属的上部接触图案，所述第一金属的第一电阻率大于所述第二金属的第二电阻率；以及位于所述下部接触图案与所述上部接触图案的下部之间的金属阻挡层，所述金属阻挡层包括第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属不同。所述上部接触图案的下部宽度可以小于所述下部接触图案的上部宽度。
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