公开(公告)号：CN110504264B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910298285.4

申请日：2019-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷赫 ,  金国桓 ,  金完敦 ,  朴正敏 ,  朴钟昊 ,  李炳训 ,  河龙湖 ,  玄尚镇 ,  洪慧理

IPC: H10D84/83 ,  H10D89/10 ,  H10D84/03 ,  H10D30/01

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。

公开(公告)号：CN117810227A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202310625143.0

申请日：2023-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仅祐 ,  金完敦 ,  姜泫宇 ,  李贤培 ,  任廷赫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案和源极/漏极图案，沟道图案和源极/漏极图案位于有源图案上，其中，沟道图案连接至源极/漏极图案；栅电极，其位于沟道图案上；以及栅极接触件，其连接至栅电极的顶表面，其中，栅极接触件包括与栅电极的顶表面直接接触的封盖层和位于封盖层上的金属层，其中封盖层和金属层包括相同的金属，金属层中的氧的浓度在约2at％至约10at％之间的范围内，并且封盖层中的氧的最大浓度在约15at％至约30at％之间的范围内。

公开(公告)号：CN110504264A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910298285.4

申请日：2019-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷赫 ,  金国桓 ,  金完敦 ,  朴正敏 ,  朴钟昊 ,  李炳训 ,  河龙湖 ,  玄尚镇 ,  洪慧理

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。