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公开(公告)号：CN117810227A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310625143.0
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案和源极/漏极图案，沟道图案和源极/漏极图案位于有源图案上，其中，沟道图案连接至源极/漏极图案；栅电极，其位于沟道图案上；以及栅极接触件，其连接至栅电极的顶表面，其中，栅极接触件包括与栅电极的顶表面直接接触的封盖层和位于封盖层上的金属层，其中封盖层和金属层包括相同的金属，金属层中的氧的浓度在约2at％至约10at％之间的范围内，并且封盖层中的氧的最大浓度在约15at％至约30at％之间的范围内。
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