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公开(公告)号：CN118398655A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410022844.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H10B12/00
Abstract: 提供了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。
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公开(公告)号：CN110690177A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910601851.4
申请日：2019-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数。
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公开(公告)号：CN119697988A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411141690.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括由第一器件隔离层限定的第一有源区；位线接触，布置在衬底的第一有源区上；以及位线，在衬底上沿第一方向延伸。位线包括：下导电层，布置在衬底上以及在位线接触的侧壁上；以及金属线堆叠，布置在下导电层上。金属线堆叠包括：第一导电层，布置在下导电层和位线接触上并且包括第一金属材料；第一中间层，布置在第一导电层上并且包括石墨烯；以及第二导电层，布置在第一中间层上并且包括第一金属材料。
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公开(公告)号：CN112310222A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010707043.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/40
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上或者位于所述衬底中的沟道；源极/漏极对，分别位于所述沟道的相对端；以及栅极结构，所述栅极结构在所述沟道上位于所述源极/漏极对之间，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠在所述沟道上的界面层、铁电层、稳定化层、氧扩散阻挡层和阈值电压控制层。
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公开(公告)号：CN112289862A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010710454.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括：第一有源图案，其位于衬底的第一区上；一对第一源极/漏极图案，其位于第一有源图案上；第一沟道图案，其位于所述一对第一源/漏图案之间；以及栅电极，其横跨第一沟道图案延伸。栅电极位于第一沟道图案的最上面的表面和至少一个侧壁上。栅电极包括：第一金属图案，其包括p型功函数金属；第二金属图案，其位于第一金属图案上，并且包括n型功函数金属；第一阻挡图案，其位于第二金属图案上，并且包括包含钨(W)、碳(C)和氮(N)的非晶态金属层；以及第二阻挡图案，其位于第一阻挡图案上。第二阻挡图案包括p型功函数金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668308A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911353670.0
申请日：2019-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：具有第一有源区和第二有源区的衬底；分别在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别延伸跨过第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极；以及在第一有源图案和第一栅电极之间以及在第二有源图案和第二栅电极之间的高k电介质层。第一栅电极包括功函数金属图案和电极图案。第二栅电极包括第一功函数金属图案、第二功函数金属图案和电极图案。第一功函数金属图案包含与高k电介质层的杂质相同的杂质。第二栅电极的第一功函数金属图案的杂质浓度大于第一栅电极的功函数金属图案的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN109494251A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810670238.3
申请日：2018-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/088 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。
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公开(公告)号：CN110504264B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910298285.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。
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公开(公告)号：CN118613052A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410230756.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板，所述基板具有限定有源区的元件分隔膜；和栅极结构，所述栅极结构位于所述基板上的沟槽中并且与所述有源区相交，其中，每个所述栅极结构包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层沿着所述沟槽中的相应沟槽的侧壁和底表面延伸；栅电极层，所述栅电极层位于所述栅极绝缘层上，并且包括第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；衬膜，所述衬膜位于所述栅极绝缘层和所述第一金属层之间，并且包括与所述第一金属层和所述第二金属层相同的金属材料；和覆盖膜，所述覆盖膜与所述第二金属层接触。
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公开(公告)号：CN109755299B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201811307372.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。
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