公开(公告)号：CN109755299B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811307372.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。

公开(公告)号：CN109494251A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810670238.3

申请日：2018-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿珩 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。

公开(公告)号：CN109494251B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201810670238.3

申请日：2018-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿珩 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底中的有源区域；至少一个纳米片，其在衬底上并与有源区域的顶表面间隔开；在纳米片上方或下方的栅极；栅极绝缘层，其在所述至少一个纳米片与栅极之间；以及源极/漏极区域，其在所述至少一个纳米片的两侧处在有源区域上。所述至少一个纳米片包括：沟道区域；栅极，其被设置在纳米片上方或下方并包括具有其表面和内部的不同组分的金属原子的单个金属层；在纳米片与栅极之间的栅极绝缘层；以及源极/漏极区域，其被设置在所述至少一个纳米片的两侧的有源区域中。

公开(公告)号：CN109473479B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811046123.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣仁 ,  罗勋奏 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

公开(公告)号：CN109755299A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811307372.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  宋珉宇 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种集成电路器件和制造其的方法。集成电路器件包括：半导体衬底、限定半导体衬底的有源区域的器件隔离层、在有源区域上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极堆叠、在栅极堆叠的侧壁上的间隔物、以及提供在栅极堆叠的两侧的杂质区域，其中栅极堆叠包括金属碳化物层和在金属碳化物层上的金属层，其中金属碳化物层包括具有约0.01at％到约15％的碳含量的层。

公开(公告)号：CN109473479A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811046123.3

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐圣仁 ,  罗勋奏 ,  宋珉宇 ,  李炳训 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

公开(公告)号：CN108574007A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810162659.5

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  金贤陈 ,  罗勋奏 ,  徐圣仁 ,  李灿珩 ,  李厚容 ,  郑圣勋 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/49

Abstract: 本申请提供了一种半导体装置以及一种制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于衬底上的栅绝缘层、位于栅绝缘层上的第一功函数调整层、在第一功函数调整层上且与第一功函数调整层接触的下阻挡导电层以及在下阻挡导电层上且与下阻挡导电层接触的上阻挡导电层。上阻挡导电层和下阻挡导电层包括共同的材料，例如，它们可以各自包括氮化钛(TiN)层。