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公开(公告)号：CN112310222A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010707043.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51 , H01L29/40
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上或者位于所述衬底中的沟道；源极/漏极对，分别位于所述沟道的相对端；以及栅极结构，所述栅极结构在所述沟道上位于所述源极/漏极对之间，其中，所述栅极结构包括顺序地堆叠在所述沟道上的界面层、铁电层、稳定化层、氧扩散阻挡层和阈值电压控制层。
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