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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN110690177A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910601851.4

申请日：2019-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟昊 , 金完敦 , 金元洪 , 白贤浚 , 李炳训 , 任廷爀 , 玄尚镇

IPC: H01L21/8234 , H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数。

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