公开(公告)号：CN107039529B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201610971023.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴文圭 ,  宋在烈 ,  罗勋奏 ,  黄允泰 ,  尹琪重 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了在栅绝缘膜中具有更少缺陷以及和改善的可靠性的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在基板上的栅绝缘膜和在栅绝缘膜上的栅电极结构。栅电极结构可以包括在栅绝缘膜上顺序层叠的下导电膜、硅氧化物膜和上导电膜。下导电膜可以包括阻挡金属层。

公开(公告)号：CN112420836B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010409305.3

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄允泰 ,  金完敦 ,  金仅祐

IPC: H10D30/60 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一金属的下部接触图案；包括第二金属的上部接触图案，所述第一金属的第一电阻率大于所述第二金属的第二电阻率；以及位于所述下部接触图案与所述上部接触图案的下部之间的金属阻挡层，所述金属阻挡层包括第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属不同。所述上部接触图案的下部宽度可以小于所述下部接触图案的上部宽度。

公开(公告)号：CN114121948A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110935286.2

申请日：2021-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仅祐 ,  金完敦 ,  李宪福 ,  黄允泰

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿不同于第一方向的第二方向延伸跨过鳍型有源区；源/漏区，位于栅极结构的一侧上的鳍型有源区中；以及第一接触结构和第二接触结构，分别连接到源/漏区和栅极结构，其中，第一接触结构和第二接触结构中的至少一者包括位于栅极结构和源/漏区中的至少一者上且包含第一结晶金属的种子层以及位于种子层上且包含不同于第一结晶金属的第二结晶金属的接触插塞，并且第二结晶金属在种子层与接触插塞之间的界面处与第一结晶金属基本晶格匹配。

公开(公告)号：CN112420836A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010409305.3

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄允泰 ,  金完敦 ,  金仅祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一金属的下部接触图案；包括第二金属的上部接触图案，所述第一金属的第一电阻率大于所述第二金属的第二电阻率；以及位于所述下部接触图案与所述上部接触图案的下部之间的金属阻挡层，所述金属阻挡层包括第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属不同。所述上部接触图案的下部宽度可以小于所述下部接触图案的上部宽度。

公开(公告)号：CN116053277A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211317477.3

申请日：2022-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成焕 ,  金仅祐 ,  金完敦 ,  黄允泰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/45 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括包含有源图案的衬底、在有源图案上并彼此连接的沟道图案和源极/漏极图案、以及电连接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括第一阻挡金属和在第一阻挡金属上的第一填充金属，第一阻挡金属包括金属氮化物层。第一填充金属包括钼、钨、钌、钴和钒中的至少一种。第一填充金属包括具有体心立方(BCC)结构的第一结晶区和具有面心立方(FCC)结构的第二结晶区。第一填充金属中第一结晶区的比例在从60％至99％的范围内。

公开(公告)号：CN110617407A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910443760.2

申请日：2019-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在成 ,  黄允泰 ,  宋镐荣 ,  具元会 ,  金载喆 ,  白好善

IPC: F21K9/20 ,  F21V23/00 ,  F21V15/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 提供了一种白光LED模块和一种照明装置。所述白光LED模块包括：电路板；至少一个第一LED光源，所述至少一个第一LED光源位于所述电路板上，并发射具有第一色温的第一白光；至少一个第二LED光源，所述至少一个第二LED光源位于所述电路板上，并发射具有高于所述第一色温的第二色温的第二白光；布线结构，所述布线结构位于所述电路板中，以选择性地驱动所述至少一个第一LED光源和所述至少一个第二LED光源；以及透明密封剂，所述透明密封剂位于所述电路板上，以覆盖所述至少一个第一LED光源和所述至少一个第二LED光源。所述透明密封剂包括透明树脂和在所述透明树脂中的光散射粉末。

公开(公告)号：CN107039529A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610971023.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴文圭 ,  宋在烈 ,  罗勋奏 ,  黄允泰 ,  尹琪重 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供了在栅绝缘膜中具有更少缺陷以及和改善的可靠性的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括在基板上的栅绝缘膜和在栅绝缘膜上的栅电极结构。栅电极结构可以包括在栅绝缘膜上顺序层叠的下导电膜、硅氧化物膜和上导电膜。下导电膜可以包括阻挡金属层。