公开(公告)号：CN118870812A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410396756.6

申请日：2024-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭勋 ,  河承锡 ,  南瑞祐

IPC: H10B12/00

Abstract: 根据一些示例实施例的半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域；下层间绝缘层，在衬底的第一区域和第二区域上；上层间绝缘层，在下层间绝缘层上；过孔结构，在第一区域中穿透上层间绝缘层；多条金属布线，在过孔结构上沿第一方向延伸，并且电连接到过孔结构；沟槽，在第二区域中在与过孔结构的高度相同的高度上，并且在上层间绝缘层中；以及虚设布线层，沿沟槽、上层间绝缘层、以及下层间绝缘层的上表面具有弯曲结构。

公开(公告)号：CN114678346A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111375811.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  南瑞祐 ,  卢宣颖 ,  朴基澈 ,  辛宗灿 ,  李民主 ,  李贤培 ,  河承锡

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一层间电介质层；在第一层间电介质层中的多个第一通路；在第一层间电介质层上的第二层间电介质层；以及在第二层间电介质层中的第一电源线和第一下部线，电连接到第一通路中的相应的第一通路。第一电源线的在第一方向上的第一宽度大于第一下部线的在第一方向上的第二宽度。第一电源线包括第一金属材料。第一下部线包括第二金属材料。第一通路包括第三金属材料。第一金属材料、第二金属材料和第三金属材料彼此不同。

公开(公告)号：CN116247026A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211493232.6

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  罗相喆 ,  南瑞祐 ,  朴基澈

IPC: H01L23/50

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一布线结构和第二布线结构，所述第一布线结构包括第一材料，并且在其最低表面上在第一方向上具有第一宽度，所述第二布线结构包括第二材料，在所述第一方向上与所述第一布线结构间隔开，并且在其最低表面上在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一布线结构的最高表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第三宽度，并且所述第二布线结构的最高表面在所述第一方向上具有小于所述第二宽度的第四宽度。

公开(公告)号：CN115799168A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211095057.5

申请日：2022-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.D.李 ,  H.辛卡 ,  何铭 ,  南瑞祐 ,  安商熏

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了包括通路的集成电路器件及形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括在基板上形成导电线结构。导电线结构可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的导电线堆叠，并且导电线堆叠可以包括堆叠在基板上的导电线和掩模层。该方法还可以包括：通过去除掩模层而在第一绝缘层中形成凹槽，该凹槽暴露导电线；在第一绝缘层上和第一绝缘层的凹槽中形成蚀刻停止层以及然后形成第二绝缘层；以及形成延伸穿过第二绝缘层和蚀刻停止层并接触导电线的导电通路。

公开(公告)号：CN119730368A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410905218.5

申请日：2024-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  申宪宗 ,  朴葰颖 ,  李上羲

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 一种集成电路器件包括：在衬底上沿第一水平方向延伸的鳍型有源区；面对鳍型有源区的鳍顶部的多个纳米片；在鳍型有源区上的栅极线，栅极线围绕每个纳米片并在第二水平方向上延伸；以及在鳍型有源区上的源极/漏极区。栅极线包括在纳米片堆叠上的主栅极部分、第一子栅极部分、第二子栅极部分和第三子栅极部分。第一子栅极部分在第一水平方向上的宽度大于或等于第三子栅极部分在第一水平方向上的宽度，并且第一子栅极部分的所述宽度小于第二子栅极部分在第一水平方向上的宽度。

公开(公告)号：CN118431154A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311150548.X

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相奉 ,  南瑞祐 ,  徐圣浩 ,  姜锡明 ,  崔圭勋 ,  河承锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：设置在衬底上的第一层间绝缘层；第一导电线，其设置在第一层间绝缘层中，并具有突出到第一层间绝缘层的上侧上方的突起；蚀刻停止层，其设置在第一层间绝缘层和第一导电线上；以及穿过蚀刻停止层并与第一导电线接触的过孔件，其中蚀刻停止层包括在截面图中具有弯曲形状的第一蚀刻停止层和设置在第一蚀刻停止层上并具有厚度变化的第二蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN114944360A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111527486.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善培 ,  南瑞祐

IPC: H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，设置在基底上；第一沟槽，形成在第一层间绝缘层内部；接触插塞，设置在第一沟槽内部；第一布线图案，设置在接触插塞上；第二布线图案，设置在第一层间绝缘层上并在水平方向上与第一布线图案间隔开；第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上并围绕第一布线图案的每个侧壁和第二布线图案的每个侧壁；以及第一气隙，在第一沟槽内部形成在接触插塞上。

公开(公告)号：CN119905484A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410707243.2

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  申宪宗 ,  金善宇 ,  韩成奎

IPC: H01L23/538 ,  H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：基底绝缘层；沟道层，在基底绝缘层的第一表面上；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在基底绝缘层的第一表面上在第一方向上彼此间隔开，沟道层介于第一源/漏图案和第二源/漏图案之间；栅极结构，在基底绝缘层的第一表面上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；下布线结构，在基底绝缘层的第二表面上；以及贯穿电极，与栅极结构间隔开，第一源/漏图案在贯穿电极和栅极结构之间。贯穿电极可以穿透基底绝缘层，并且将第一源/漏图案电连接到下布线结构。第一方向可以与基底绝缘层的第一表面平行。

公开(公告)号：CN117594525A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311023698.4

申请日：2023-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  金景洙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/033

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底上形成电介质层；在电介质层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成心轴线，心轴线中的每一个在第一方向上延伸；在心轴线中的每一个的两个侧壁上形成间隔件；从间隔件去除多个心轴线；在硬掩模层中形成对应于间隔件中的邻近的间隔件之间的空间的第一区的第一线性开口；形成对应于邻近的间隔件之间的空间的第二区的第二线性开口，第二线性开口在第一方向上邻近于第一线性开口；利用硬掩模层在电介质层中形成沟槽；以及通过用导电材料填充沟槽形成互连线。

公开(公告)号：CN115547978A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210305036.5

申请日：2022-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  朴基澈 ,  南瑞祐 ,  李东翼

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，位于基底上；下布线图案，在第一层间绝缘层内部；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；过孔沟槽，在第二层间绝缘层和蚀刻停止层内部并且延伸到下布线图案；过孔，在过孔沟槽内部，并且与第二层间绝缘层接触并由单个膜形成；上布线沟槽，形成在第二层间绝缘层内部并且位于过孔上；以及上布线图案，在上布线沟槽内部并且包括上布线阻挡层和位于上布线阻挡层上的上布线填充层。过孔的上表面与上布线填充层接触。