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公开(公告)号：CN117594525A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311023698.4
申请日：2023-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/033
Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底上形成电介质层；在电介质层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成心轴线，心轴线中的每一个在第一方向上延伸；在心轴线中的每一个的两个侧壁上形成间隔件；从间隔件去除多个心轴线；在硬掩模层中形成对应于间隔件中的邻近的间隔件之间的空间的第一区的第一线性开口；形成对应于邻近的间隔件之间的空间的第二区的第二线性开口，第二线性开口在第一方向上邻近于第一线性开口；利用硬掩模层在电介质层中形成沟槽；以及通过用导电材料填充沟槽形成互连线。
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公开(公告)号：CN116741771A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211532530.1
申请日：2022-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06
Abstract: 提供三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；和接触线，在接触结构上。接触结构包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、和第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的一侧，第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另一侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，更靠近第一垂直延伸部分。
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公开(公告)号：CN116264774A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211582699.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/50 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B41/40 , H10B43/40 , H10B43/50 , H10B43/27 , G11C11/40
Abstract: 公开了存储装置、存储系统和存储装置的操作方法。所述存储装置包括：具有第一单元区域和第一金属垫的第一半导体结构，其中，存储器单元设置在第一半导体基底上，第一金属垫设置在第一单元区域上方。第二半导体结构具有：在第二半导体基底上且外围电路设置在其上的外围电路区域、包括多个第二存储器单元的第二单元区域以及键合到第一金属垫的第二金属垫。第三半导体结构包括：存储器控制器，设置在第三半导体基底上并且通过穿透第三半导体基底的连接过孔而连接到第三金属垫。连接结构穿透第二半导体基底并将存储器控制器连接到第二半导体结构。存储器控制器基于通过第三金属垫从主机施加的信号来控制第一单元区域和第二单元区域。
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公开(公告)号：CN103009527A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210030638.0
申请日：2012-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B29C35/16
CPC classification number: B29C35/16 , B29C45/1769 , B29C45/7207 , B29C2035/1616
Abstract: 本发明公开了一种时效设备和方法，其能够缩短将模制产品从注塑装置移走并使该模制产品冷却所花费的时间，从而提高了生产效率。时效设备包括：注塑装置，被构造为生产模制产品并允许模制产品从其移走和落下；导管，用于以模制产品的底部朝向下的方式引导从注塑装置落下的模制产品穿过；盆，安装在导管下方，盆含有用来冷却通过导管落入盆中的模制产品并吸收被施加到模制产品的冲击的水；输送装置，用于将被盆中的水冷却的模制产品输送到外部。
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公开(公告)号：CN1652465B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200510004199.6
申请日：2005-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/00 , H03K19/0948
CPC classification number: H03K19/0016 , H03K19/0013 , H03K2217/0018
Abstract: 本发明涉及一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置可以包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1652465A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510004199.6
申请日：2005-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/00 , H03K19/0948
CPC classification number: H03K19/0016 , H03K19/0013 , H03K2217/0018
Abstract: 本发明涉及一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置可以包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。
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公开(公告)号：CN116096077A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211270572.2
申请日：2022-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 公开了一种半导体存储器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，设置在单元区处；位线结构，设置在单元区处并包括单元导线和设置在单元导线上的单元线封盖膜；鳍型图案，设置在外围区处；外围栅电极，与鳍型图案交叉；外围栅分离图案，设置在外围栅电极的侧壁上并具有高于外围栅电极的上表面的上表面；以及外围层间绝缘膜，覆盖外围栅电极、外围栅分离图案、以及外围栅分离图案的侧壁的一部分。外围层间绝缘膜的上表面和单元线封盖膜的最上表面相对于衬底位于相同的高度。
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公开(公告)号：CN115985913A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211248215.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下纳米片；在下纳米片上的上纳米片；在基板上并提供在每个纳米片周围的栅电极；在第一栅电极和第二栅电极的第一侧的第一下源极/漏极区；在第一栅电极和第二栅电极的第二侧的第二下源极/漏极区；在第一下源极/漏极区上的第一上源极/漏极区；以及在第二下源极/漏极区上的第二上源极/漏极区。第二下源极/漏极区的第一长度大于第二上源极/漏极区的第二长度。
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公开(公告)号：CN1180172A
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN97117874.7
申请日：1997-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金景洙
IPC: G01S13/06
CPC classification number: G01S7/4052 , G01S13/66 , G01S2007/4082
Abstract: 一种跟踪雷达信号发生器甚至在未充分开发跟踪之前能够进行雷达控制器的跟踪算法的开发。在该信号发生器中,定时器接收同步跟踪雷达信号发生器的主时钟,产生雷达信号中的同步信号的脉冲重复频率(PRF)信号,为到被跟踪的目标的距离的跟踪目标距离,和在未被跟踪的情况下仅输入信号的一般目标距离,分别计算作为跟踪目标距离和一般目标距离的时分值的跟踪目标信号和一般目标信号,并输出包括跟踪目标信号和一般目标信号的相应的输入信号。
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公开(公告)号：CN117038671A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310430612.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，其中控制上纳米片堆叠在下纳米片上的结构中的隔离层的形状，以提高器件的可靠性。该半导体器件包括：有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸；下纳米片，在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开，并且在有源图案上；隔离层，在下纳米片上，并且在第二方向上与下纳米片间隔开；上纳米片，在第二方向上彼此间隔开，并且在隔离层上；以及栅电极，在衬底上，并且围绕下纳米片、隔离层和上纳米片中的每一个，其中，隔离层的侧壁具有弯曲形状。
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