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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN119905484A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410707243.2

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 , 申宪宗 , 金善宇 , 韩成奎

IPC: H01L23/538 , H10D84/03 , H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：基底绝缘层；沟道层，在基底绝缘层的第一表面上；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在基底绝缘层的第一表面上在第一方向上彼此间隔开，沟道层介于第一源/漏图案和第二源/漏图案之间；栅极结构，在基底绝缘层的第一表面上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；下布线结构，在基底绝缘层的第二表面上；以及贯穿电极，与栅极结构间隔开，第一源/漏图案在贯穿电极和栅极结构之间。贯穿电极可以穿透基底绝缘层，并且将第一源/漏图案电连接到下布线结构。第一方向可以与基底绝缘层的第一表面平行。

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