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公开(公告)号：CN118522710A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311216060.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 实施例提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，其具有彼此相反的第一表面和第二表面；沟道图案，其设置在半导体衬底的第一表面上；源极/漏极图案，其设置在半导体衬底的第一表面上并且设置在沟道图案的两侧；第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，其设置在半导体衬底的第一表面上；接触电极，其电连接到源极/漏极图案；下布线结构，其设置在半导体衬底的第二表面上；以及贯通通路，其穿过半导体衬底、第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，以连接接触电极和下布线结构，其中，贯通通路包括：第一部分，其接触接触电极；以及第二部分，其接触第一部分并且设置在第一部分与下布线结构之间。
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公开(公告)号：CN116247026A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211493232.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一布线结构和第二布线结构，所述第一布线结构包括第一材料，并且在其最低表面上在第一方向上具有第一宽度，所述第二布线结构包括第二材料，在所述第一方向上与所述第一布线结构间隔开，并且在其最低表面上在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一布线结构的最高表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第三宽度，并且所述第二布线结构的最高表面在所述第一方向上具有小于所述第二宽度的第四宽度。
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公开(公告)号：CN118782612A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410410211.6
申请日：2024-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、在衬底的上表面上沿第一水平方向延伸的有源图案、在衬底的上表面上围绕有源图案的侧壁的场绝缘层、在有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸的第一栅电极、在有源图案上设置在第一栅电极的至少一侧上的源极/漏极区、在场绝缘层上覆盖源极/漏极区的上层间绝缘层、在垂直方向上穿透衬底、场绝缘层和上层间绝缘层并在第二水平方向与源极/漏极区间隔开的贯通通路、在第一栅电极的至少一侧上设置在上层间绝缘层内部并连接到源极/漏极区的源极/漏极接触、和设置在上层间绝缘层内部并连接到贯通通路和源极/漏极接触中的每一者的连接部分，其在第一水平方向上的宽度大于源极/漏极接触在第一水平方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN117995809A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311380183.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明构思的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案，设置在基底的上表面上，并且具有不同宽度；第一栅极结构和第二栅极结构，分别与第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域和第二源/漏区域，分别设置在第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案上；第一接触结构和第二接触结构，分别连接到第一源/漏区域和第二源/漏区域；栅极隔离结构，与具有相对大的宽度的第一鳍式有源图案相邻；掩埋导电结构，接触栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到第二接触结构；导电贯通结构，从基底的下表面延伸，并且连接到掩埋导电结构；以及第一布线层，电连接到第一接触结构和掩埋导电结构。
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公开(公告)号：CN117878121A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311298316.9
申请日：2023-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置包括：基板，其包括第一表面和第二表面；第一源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第二源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第一源极/漏极触点，其设置在第一源极/漏极图案上并且连接到第一源极/漏极图案；第二源极/漏极触点，其设置在第二源极/漏极图案上并且连接到第二源极/漏极图案；后布线，其设置在基板的第二表面上；第一接触连接穿通件，其将后布线与第一源极/漏极触点连接；第二接触连接穿通件，其将后布线与第二源极/漏极触点连接并且与第一接触连接穿通件间隔开；以及气隙结构，其设置在第一接触连接穿通件和第二接触连接穿通件之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116207071A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211483155.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。
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公开(公告)号：CN115547978A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210305036.5
申请日：2022-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，位于基底上；下布线图案，在第一层间绝缘层内部；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；过孔沟槽，在第二层间绝缘层和蚀刻停止层内部并且延伸到下布线图案；过孔，在过孔沟槽内部，并且与第二层间绝缘层接触并由单个膜形成；上布线沟槽，形成在第二层间绝缘层内部并且位于过孔上；以及上布线图案，在上布线沟槽内部并且包括上布线阻挡层和位于上布线阻挡层上的上布线填充层。过孔的上表面与上布线填充层接触。
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公开(公告)号：CN119677170A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410412149.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置。半导体装置包括：绝缘层，其包括第一表面、第二表面和元件隔离沟槽；绝缘图案，其位于绝缘层的第一表面上；有源图案，其位于绝缘图案上并且包括沟道图案；源极/漏极图案，其位于有源图案的至少一侧上；下布线结构，其位于绝缘层的第二表面上；以及通孔件，其在绝缘层中延伸并且连接源极/漏极图案和下布线结构，其中，绝缘图案可以包括位于绝缘层和有源图案之间的第一部分、围绕通孔件的至少一部分的第二部分、以及位于元件隔离沟槽的底表面上的第三部分。
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公开(公告)号：CN118198031A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311525559.1
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L25/16 , H10B80/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。
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公开(公告)号：CN117594564A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002838.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：具有鳍型有源图案的衬底；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；在隔离绝缘层上和在源极/漏极区上的层间绝缘层；电连接到源极/漏极区的接触结构；电连接到接触结构并掩埋在层间绝缘层中的掩埋导电结构；以及穿透衬底并与掩埋导电结构的底表面接触的电力传送结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞以及在第一接触插塞的侧表面上并与第一接触插塞的底表面间隔开的第一导电阻挡物。电力传送结构包括与第一接触插塞的底表面直接接触的第二接触插塞。
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