公开(公告)号：CN118198002A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311521763.6

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李东翼 ,  金庆旼 ,  金菊喜 ,  金汎镇 ,  金荣佑 ,  罗相喆 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。

公开(公告)号：CN118782612A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410410211.6

申请日：2024-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汎镇 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  金俊秀 ,  罗相喆 ,  李敬雨 ,  李东翼 ,  李敏丞 ,  蔡命均 ,  河承锡

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、在衬底的上表面上沿第一水平方向延伸的有源图案、在衬底的上表面上围绕有源图案的侧壁的场绝缘层、在有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸的第一栅电极、在有源图案上设置在第一栅电极的至少一侧上的源极/漏极区、在场绝缘层上覆盖源极/漏极区的上层间绝缘层、在垂直方向上穿透衬底、场绝缘层和上层间绝缘层并在第二水平方向与源极/漏极区间隔开的贯通通路、在第一栅电极的至少一侧上设置在上层间绝缘层内部并连接到源极/漏极区的源极/漏极接触、和设置在上层间绝缘层内部并连接到贯通通路和源极/漏极接触中的每一者的连接部分，其在第一水平方向上的宽度大于源极/漏极接触在第一水平方向上的宽度。

公开(公告)号：CN117878121A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311298316.9

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金泛镇 ,  金荣佑 ,  李东翼 ,  蔡命均

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括：基板，其包括第一表面和第二表面；第一源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第二源极/漏极图案，其设置在基板的第一表面上；第一源极/漏极触点，其设置在第一源极/漏极图案上并且连接到第一源极/漏极图案；第二源极/漏极触点，其设置在第二源极/漏极图案上并且连接到第二源极/漏极图案；后布线，其设置在基板的第二表面上；第一接触连接穿通件，其将后布线与第一源极/漏极触点连接；第二接触连接穿通件，其将后布线与第二源极/漏极触点连接并且与第一接触连接穿通件间隔开；以及气隙结构，其设置在第一接触连接穿通件和第二接触连接穿通件之间。