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公开(公告)号：CN119630044A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410429508.7
申请日：2024-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D64/20 , H10D62/10 , H10D30/01 , H10D30/60 , H01L23/528 , H01L23/522 , H10D84/85 , H01L21/768 , H10D84/03
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。根据实施例的半导体装置包括：基底绝缘层，其具有彼此面对的第一表面和第二表面，在第一表面和第二表面之间具有厚度；基底绝缘层的第一表面上的沟道层；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，它们位于基底绝缘层的第一表面上，并且沿第一方向布置，沟道层位于第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间；栅极结构，其在基底绝缘层的第一表面上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且围绕沟道层；第一硅化物层，其在凹部图案的侧壁上，凹部图案在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上穿透第一源极/漏极图案；以及层间绝缘层，其设置在凹部图案中。
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公开(公告)号：CN118737970A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311746798.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/50
Abstract: 一种半导体器件包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；有源图案，设置在所述第一区域上；源极/漏极图案，设置在所述有源图案上；贯通接触，设置在所述第二区域上；第一金属层，设置在所述贯通接触上；第二衬底，设置在所述第一金属层上，其中，所述第二衬底包括杂质区域；下接合焊盘，设置在所述第一金属层与所述第二衬底之间；上接合焊盘，设置在所述下接合焊盘上；以及电力传输网络层，设置在所述第一衬底的底表面上，其中，所述下接合焊盘和所述上接合焊盘彼此接触，其中，所述贯通接触连接到所述下接合焊盘，并且其中，所述杂质区域连接到所述上接合焊盘。
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公开(公告)号：CN117457621A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310904212.1
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一器件，在第一区域中位于基底上；第二器件，在第二区域中位于基底上；正面互连结构，在基底的正面上且包括电连接到第一器件和第二器件的多个互连层；以及背面掩埋互连结构，与基底的背面相邻，基底的背面与基底的正面相对。背面掩埋互连结构包括背面掩埋绝缘层和背面掩埋导电层，背面掩埋绝缘层位于从基底的背面朝向基底的正面凹陷的沟槽中，背面掩埋导电层位于背面掩埋绝缘层中。背面掩埋互连结构位于第一区域或第二区域中。
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公开(公告)号：CN109935587B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201811176477.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN109935587A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811176477.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120035215A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411129180.3
申请日：2024-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/85 , H01L23/62 , H01L23/528 , H10D84/03
Abstract: 提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：第一电力线和第二电力线，在衬底上在相对衬底的竖直方向上与第一单元区、单元间分离区和第二单元区重叠；第一电力分接单元，穿透衬底，并且从第一电力线接收第一电压；第二电力分接单元，穿透衬底，并且从第二电力线接收与第一电压不同的第二电压；第一虚设栅极绝缘线和第二虚设栅极绝缘线，第一虚设栅极绝缘线和第二虚设栅极绝缘线彼此分开，第一电力分接单元和第二电力分接单元介于第一虚设栅极绝缘线与第二虚设栅极绝缘线之间；以及虚设栅极绝缘桥，限定真空空间，并且连接到第一虚设栅极绝缘线和第二虚设栅极绝缘线。
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公开(公告)号：CN119342799A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410548260.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 本公开涉及半导体器件，包括具有背面电力输送网络(BSPDN)的半导体器件。示例半导体器件包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有源图案，在第一表面上；第一栅极结构，与第一有源图案交叉；以及第一后布线图案和第二后布线图案，设置在第二表面上距衬底相同的高度处。第一后布线图案包括均沿第一方向延伸的第一延伸部分和第二延伸部分、以及连接部分，该连接部分沿与第一方向交叉的第二方向延伸以将第一延伸部分连接到第二延伸部分。第二后布线图案在第二方向上与第一延伸部分间隔开，并且在第一方向上与连接部分间隔开。
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公开(公告)号：CN119108428A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410738404.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置可包括：在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的绝缘图案；设置在绝缘图案在第一方向上的侧表面上的衬底绝缘层；设置在绝缘图案在第二方向上的侧表面上的器件隔离层；设置在绝缘图案上并且在垂直于器件隔离层的上表面的竖直方向上彼此间隔开的多个沟道层；栅极结构，其被配置为与绝缘图案竖直地重叠并围绕多个沟道层中的每一个，并且在第二方向上延伸；设置在栅极结构外部的源极/漏极区；以及在源极/漏极区下方电连接到源极/漏极区的背面接触结构，其中，绝缘图案包括从器件隔离层的上表面沿竖直方向突出的突起，多个沟道层中最下面的沟道层的下表面与突起的上表面之间的竖直距离大于多个沟道层之间的竖直距离。
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公开(公告)号：CN118198031A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311525559.1
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L25/16 , H10B80/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。
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公开(公告)号：CN119855227A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202410884567.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；鳍型有源区，在衬底的第一表面上沿第一水平方向延伸，并且包括彼此相邻的第一区域和第二区域；第一源/漏区，布置在鳍型有源区的第一区域上；第二源/漏区，布置在鳍型有源区的第二区域上；以及填充绝缘层，在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸，其中，第一区域包括第一导电类型，其中，第二区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，并且其中，第一区域与第二区域之间的边界包括基本垂直于第一水平方向并且与填充绝缘层重叠的部分。
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