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公开(公告)号：CN110970486B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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公开(公告)号：CN110970433B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910891256.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。
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公开(公告)号：CN117497537A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310423021.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/535
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有彼此相对的前表面和后表面以及在前表面中由沟槽限定的鳍式有源区；器件分隔层，填充沟槽；源极/漏极区，在鳍式有源区上；第一导电插塞，布置在源极/漏极区上并电连接到源极/漏极区；电力布线，至少部分地布置在基底的下表面上；掩埋轨道，穿过器件分隔层连接到电力布线，并且掩埋轨道的水平宽度朝向电力布线减小；以及电力过孔，将掩埋轨道连接到第一导电插塞。
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公开(公告)号：CN119630044A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410429508.7
申请日：2024-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D64/20 , H10D62/10 , H10D30/01 , H10D30/60 , H01L23/528 , H01L23/522 , H10D84/85 , H01L21/768 , H10D84/03
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。根据实施例的半导体装置包括：基底绝缘层，其具有彼此面对的第一表面和第二表面，在第一表面和第二表面之间具有厚度；基底绝缘层的第一表面上的沟道层；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，它们位于基底绝缘层的第一表面上，并且沿第一方向布置，沟道层位于第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间；栅极结构，其在基底绝缘层的第一表面上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且围绕沟道层；第一硅化物层，其在凹部图案的侧壁上，凹部图案在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上穿透第一源极/漏极图案；以及层间绝缘层，其设置在凹部图案中。
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公开(公告)号：CN117423697A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310821042.0
申请日：2023-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件包括：平行有源区，在衬底上，并且在第一水平方向上延伸；栅结构，与有源区相交，在第二水平方向上延伸，并且包括在第二水平方向上彼此相对的第一栅结构和第二栅结构；源/漏区，包括第一源/漏区和第二源/漏区，在栅结构的至少一侧上并且在有源区上；栅分离图案，在第一栅结构和第二栅结构之间；竖直导电结构，在栅分离图案中；接触插塞，包括电连接到第一源/漏区和竖直导电结构的第一接触插塞、以及电连接到第二源/漏区并且与竖直导电结构间隔开的第二接触插塞；以及接触分离图案，分离第一接触插塞和第二接触插塞，并且具有接触竖直导电结构的上表面的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276276A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310700153.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体装置，其包括：第一有源区域和第二有源区域，在基底上并在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源区域和第二有源区域上，第一栅极结构和第二栅极结构在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，分别在第一有源区域和第二有源区域上并与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；第一接触插塞和第二接触插塞，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上并分别连接到第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；以及垂直掩埋结构，在第一栅极结构与第二栅极结构之间并在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。垂直掩埋结构包括与第一接触插塞接触的第一侧表面。
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公开(公告)号：CN113948517A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110761662.0
申请日：2021-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一栅极结构，在第一方向上延伸并且包括第一栅电极和第一栅极覆盖图案；第二栅极结构，与所述第一栅极结构间隔开，在所述第一方向上延伸，并且包括第二栅电极和第二栅极覆盖图案；有源图案，在第二方向上延伸，所述有源图案位于所述第二栅极结构下方；外延图案，位于所述第二栅极结构的一侧并且位于所述有源图案上；栅极接触，连接到所述第一栅电极；以及节点接触，连接到所述第二栅电极并且连接到所述外延图案。所述栅极接触的上表面位于与所述第一栅极覆盖图案的上表面相同的水平高度处，所述节点接触的上表面低于所述第一栅极覆盖图案的所述上表面。
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公开(公告)号：CN110620137A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN118053876A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310806747.5
申请日：2023-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源图案，在基底上彼此相邻；第一源极/漏极图案，分别在第一有源图案上并且彼此相邻；第一分隔结构和第二分隔结构，与第一有源图案交叉并且布置在基底上，使得第一源极/漏极图案中的相邻第一源极/漏极图案置于第一分隔结构与第二分隔结构之间；第一贯穿过孔，在所述相邻第一源极/漏极图案之间；第一电力线，在第一贯穿过孔上并且电连接到第一贯穿过孔；电力输送网络层，在基底的底表面上；以及第一下贯穿过孔，在电力输送网络层与第一贯穿过孔之间。
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公开(公告)号：CN117199131A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310529488.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置包括：底部衬底；设置在底部衬底上的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层内的电力轨；有源图案，其在第一水平方向上延伸并且设置在第一层间绝缘层上；栅电极，其在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并且设置在有源图案上；栅极切割件，其在第一水平方向上延伸并且设置在电力轨上，其中，栅极切割件分离栅电极；以及电力轨穿通件，其设置在栅极切割件内，其中，电力轨穿通件与电力轨重叠。
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