Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"D·R·吴" Page 1

1.

发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN117199131A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310529488.6

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 , 南润锡 , 李敬雨 , 金昊俊 , D·R·吴 , 李城门 , 赵学柱 , 车承珉

IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：底部衬底；设置在底部衬底上的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层内的电力轨；有源图案，其在第一水平方向上延伸并且设置在第一层间绝缘层上；栅电极，其在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并且设置在有源图案上；栅极切割件，其在第一水平方向上延伸并且设置在电力轨上，其中，栅极切割件分离栅电极；以及电力轨穿通件，其设置在栅极切割件内，其中，电力轨穿通件与电力轨重叠。

Patent Agency Ranking