Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"黄精气" Page 1

1.

发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN113948517A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110761662.0

申请日：2021-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣宪 , 申宪宗 , 郭玟灿 , 李城门 , 黄精气

IPC: H01L27/11 , H01L21/8244

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一栅极结构，在第一方向上延伸并且包括第一栅电极和第一栅极覆盖图案；第二栅极结构，与所述第一栅极结构间隔开，在所述第一方向上延伸，并且包括第二栅电极和第二栅极覆盖图案；有源图案，在第二方向上延伸，所述有源图案位于所述第二栅极结构下方；外延图案，位于所述第二栅极结构的一侧并且位于所述有源图案上；栅极接触，连接到所述第一栅电极；以及节点接触，连接到所述第二栅电极并且连接到所述外延图案。所述栅极接触的上表面位于与所述第一栅极覆盖图案的上表面相同的水平高度处，所述节点接触的上表面低于所述第一栅极覆盖图案的所述上表面。

Patent Agency Ranking