公开(公告)号：CN117457621A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310904212.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  金菊喜 ,  朴埈范 ,  安宰贤 ,  吴大荣 ,  李东翼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一器件，在第一区域中位于基底上；第二器件，在第二区域中位于基底上；正面互连结构，在基底的正面上且包括电连接到第一器件和第二器件的多个互连层；以及背面掩埋互连结构，与基底的背面相邻，基底的背面与基底的正面相对。背面掩埋互连结构包括背面掩埋绝缘层和背面掩埋导电层，背面掩埋绝缘层位于从基底的背面朝向基底的正面凹陷的沟槽中，背面掩埋导电层位于背面掩埋绝缘层中。背面掩埋互连结构位于第一区域或第二区域中。

公开(公告)号：CN116722035A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310213306.4

申请日：2023-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  朴埈范 ,  千宽永

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：下衬底；下有源图案，在下衬底上沿第一水平方向延伸；第一下栅电极，在下有源图案上沿第二水平方向延伸；上衬底，在第一下栅电极上；上有源图案，在上衬底上沿第一水平方向延伸，其中，上有源图案在第二水平方向和竖直方向中的每一个方向上与下有源图案间隔开；第一上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第一上栅电极在竖直方向上至少部分地与第一下栅电极重叠；以及第一栅极接触部，在第二水平方向上与第一上栅电极间隔开。