公开(公告)号：CN118522711A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311376622.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  金珍圭 ,  金昊俊 ,  安宰贤 ,  刘素罗

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  B81B7/00

Abstract: 提供了一种具有简化的设计和改善的性能的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括正面和与正面背对的背面；电子器件，在基底的正面上；层间绝缘层，覆盖电子器件；正面布线结构，在层间绝缘层上；背面布线结构，在基底的背面上；以及至少一个单元链，将电子器件与背面布线结构电连接，单元链包括：贯通插塞，穿过基底；连接接触件，在层间绝缘层上；第一链插塞，穿过层间绝缘层以将贯通插塞与连接接触件连接；以及第二链插塞，穿过层间绝缘层以连接到贯通插塞。

公开(公告)号：CN117457621A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310904212.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  金菊喜 ,  朴埈范 ,  安宰贤 ,  吴大荣 ,  李东翼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一器件，在第一区域中位于基底上；第二器件，在第二区域中位于基底上；正面互连结构，在基底的正面上且包括电连接到第一器件和第二器件的多个互连层；以及背面掩埋互连结构，与基底的背面相邻，基底的背面与基底的正面相对。背面掩埋互连结构包括背面掩埋绝缘层和背面掩埋导电层，背面掩埋绝缘层位于从基底的背面朝向基底的正面凹陷的沟槽中，背面掩埋导电层位于背面掩埋绝缘层中。背面掩埋互连结构位于第一区域或第二区域中。

公开(公告)号：CN119855227A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410884567.3

申请日：2024-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安宰贤 ,  金珍圭 ,  福留秀畅 ,  金知雄 ,  南润锡

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/40 ,  H10D62/10

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；鳍型有源区，在衬底的第一表面上沿第一水平方向延伸，并且包括彼此相邻的第一区域和第二区域；第一源/漏区，布置在鳍型有源区的第一区域上；第二源/漏区，布置在鳍型有源区的第二区域上；以及填充绝缘层，在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸，其中，第一区域包括第一导电类型，其中，第二区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，并且其中，第一区域与第二区域之间的边界包括基本垂直于第一水平方向并且与填充绝缘层重叠的部分。