公开(公告)号：CN103515441B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310169990.7

申请日：2013-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  福留秀畅 ,  高荣健 ,  郑周铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种具有嵌入式应变感应图案的半导体器件，所述半导体器件可包括有源区域，所述有源区域具有在相对的源区和漏区之间提供沟道区域的翅片部分。栅电极可横跨位于相对的源区和漏区之间的沟道区域，第一应变感应结构和第二应变感应结构可位于栅电极的相对两侧上，并可被构造成感应沟道区域上的应变，其中，第一应变感应结构和第二应变感应结构中的每个包括具有一对{111}晶面的相应的面对侧。

公开(公告)号：CN119855227A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410884567.3

申请日：2024-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安宰贤 ,  金珍圭 ,  福留秀畅 ,  金知雄 ,  南润锡

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/40 ,  H10D62/10

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；鳍型有源区，在衬底的第一表面上沿第一水平方向延伸，并且包括彼此相邻的第一区域和第二区域；第一源/漏区，布置在鳍型有源区的第一区域上；第二源/漏区，布置在鳍型有源区的第二区域上；以及填充绝缘层，在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸，其中，第一区域包括第一导电类型，其中，第二区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，并且其中，第一区域与第二区域之间的边界包括基本垂直于第一水平方向并且与填充绝缘层重叠的部分。

公开(公告)号：CN103996711B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410035614.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  松田司 ,  福留秀畅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一鳍，在衬底上；第一栅电极，形成在衬底上以与第一鳍交叉；第一抬高源/漏极，在第一鳍上且在第一栅电极的两侧；以及第一金属合金层，在第一抬高源/漏极的上表面和侧壁上。

公开(公告)号：CN103996711A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410035614.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  松田司 ,  福留秀畅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一鳍，在衬底上；第一栅电极，形成在衬底上以与第一鳍交叉；第一抬高源/漏极，在第一鳍上且在第一栅电极的两侧；以及第一金属合金层，在第一抬高源/漏极的上表面和侧壁上。

公开(公告)号：CN103515441A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310169990.7

申请日：2013-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  福留秀畅 ,  高荣健 ,  郑周铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种具有嵌入式应变感应图案的半导体器件，所述半导体器件可包括有源区域，所述有源区域具有在相对的源区和漏区之间提供沟道区域的翅片部分。栅电极可横跨位于相对的源区和漏区之间的沟道区域，第一应变感应结构和第二应变感应结构可位于栅电极的相对两侧上，并可被构造成感应沟道区域上的应变，其中，第一应变感应结构和第二应变感应结构中的每个包括具有一对{111}晶面的相应的面对侧。

公开(公告)号：CN119108428A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410738404.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  福留秀畅 ,  金珍圭 ,  南润锡 ,  李东润

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置可包括：在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的绝缘图案；设置在绝缘图案在第一方向上的侧表面上的衬底绝缘层；设置在绝缘图案在第二方向上的侧表面上的器件隔离层；设置在绝缘图案上并且在垂直于器件隔离层的上表面的竖直方向上彼此间隔开的多个沟道层；栅极结构，其被配置为与绝缘图案竖直地重叠并围绕多个沟道层中的每一个，并且在第二方向上延伸；设置在栅极结构外部的源极/漏极区；以及在源极/漏极区下方电连接到源极/漏极区的背面接触结构，其中，绝缘图案包括从器件隔离层的上表面沿竖直方向突出的突起，多个沟道层中最下面的沟道层的下表面与突起的上表面之间的竖直距离大于多个沟道层之间的竖直距离。

公开(公告)号：CN118198031A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311525559.1

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  金珍圭 ,  罗相喆 ,  南润锡 ,  李敬雨 ,  福留秀畅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。